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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM	2020-02-07 09:35	東京	東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室)	［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果 ○山口　直・前川径一・大原隆裕・天羽生　淳・佃　栄次・園田賢一郎・柳田博史・井上真雄・松浦正純・山下朋弘（ルネサスエレクトロニクス） SDM2019-89	[more]	SDM2019-89 pp.5-8
SDM	2018-10-17 14:00	宮城	東北大学未来情報産業研究館５Ｆ	［招待講演］次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西　忍・林　倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口　直・門島　勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山口泰男・山下朋弘（ルネサスエレクトロニクス） SDM2018-52	[more]	SDM2018-52 pp.1-5
SDM	2018-01-30 14:00	東京	機械振興会館	［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西　忍・林　倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口　直・門島　勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサスエレクトロニクス） SDM2017-94	本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more]	SDM2017-94 pp.13-16
ICD, SDM (共催)	2014-08-04 09:00	北海道	北海道大学情報教育館（札幌市）	［招待講演］A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology ○Koichiro Ishibashi（UEC）・Nobuyuki Sugii（LEAP）・Kimiyoshi Usami（SIT）・Hideharu Amano（KU）・Kazutoshi Kobayashi（KIT）・Cong-Kha Pham（UEC）・Hideki Makiyama・Yoshiki Yamamoto・Hirofumi Shinohara・Toshiaki Iwamatsu・Yasuo Yamaguchi・Hidekazu Oda・Takumi Hasegawa・Shinobu Okanishi・Hiroshi Yanagita（LEAP） SDM2014-62 ICD2014-31	[more]	SDM2014-62 ICD2014-31 pp.1-4

著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

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