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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-28 14:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討 ○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54 |
GaInN系光電変換素子は、様々な用途に適用が期待できる光無線給電システムの構成要素として向けて有望である。これまで我々... [more] | ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54 pp.13-16 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-29 15:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 ○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大） ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67 |
GaN系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、同じGaN系のHEMTや他材料系からなるHBTと比べて高速・大動力... [more] | ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67 pp.65-68 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:30 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 |
GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系... [more] | ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 pp.6-10 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 17:10 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 ○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 pp.44-47 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋工大 (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 ○加藤一朗・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 |
グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある... [more] | ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 pp.20-23 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:55 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○田中さくら・川出智之・井上暁喜・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 |
[more] | ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 pp.53-56 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ○飯田悠介・間瀬 晃・滝本将也・二階祐宇・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 |
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] | ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 pp.57-60 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 11:25 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 ○藤澤孝博・中林泰希・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大）・岡田成仁・只友一行（山口大） ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 |
AlInNはGaN系の電子デバイスや光デバイスの要素構造への応用が期待されている。本研究では、GaN系の長波長LDクラッ... [more] | ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 pp.81-84 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 ○李 リヤン・嶋 紘平（東北大）・山中瑞樹（名工大）・小島一信（東北大）・江川孝志（名工大）・上殿明良（筑波大）・石橋章司（産総研）・竹内哲也（名城大）・三好実人（名工大）・秩父重英（東北大） ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 |
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] | ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 pp.45-50 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:55 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価 ○中林泰希・山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 pp.59-62 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:25 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 ○伊藤滉朔・小松祐斗・渡久地政周（北大）・井上暁喜・田中さくら・三好実人（名工大）・佐藤威友（北大） ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 |
低損傷加工技術である光電気化学（PEC）エッチング法を，AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に... [more] | ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 pp.91-94 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:15 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 ○中林泰希・高田華果・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 |
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] | ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 pp.13-16 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:35 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 ○山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 |
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] | ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 pp.17-20 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET ○井上暁喜・原田紘希・山中瑞樹・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 |
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] | ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） (静岡県) | MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大） ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 |
[more] | ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 pp.49-52 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） (静岡県) | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] | ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 pp.53-56 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 |
[more] | ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 pp.41-44 |
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