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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
14:55
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中さくら川出智之井上暁喜江川孝志三好実人名工大ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68
 [more] ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68
pp.53-56
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
15:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田悠介間瀬 晃滝本将也二階祐宇江川孝志三好実人名工大ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
pp.57-60
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-25
11:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤孝博中林泰希江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大)・岡田成仁只友一行山口大ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75
AlInNはGaN系の電子デバイスや光デバイスの要素構造への応用が期待されている。本研究では、GaN系の長波長LDクラッ... [more] ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75
pp.81-84
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
15:25
ONLINE オンライン開催 c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン嶋 紘平東北大)・山中瑞樹名工大)・小島一信東北大)・江川孝志名工大)・上殿明良筑波大)・石橋章司産総研)・竹内哲也名城大)・三好実人名工大)・秩父重英東北大ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
pp.45-50
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:55
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林泰希山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39
pp.59-62
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:55
ONLINE オンライン開催 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上暁喜田中さくら江川孝志三好実人名工大ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
pp.79-82
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:25
ONLINE オンライン開催 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤滉朔小松祐斗渡久地政周北大)・井上暁喜田中さくら三好実人名工大)・佐藤威友北大ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47
低損傷加工技術である光電気化学(PEC)エッチング法を,AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に... [more] ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47
pp.91-94
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:15
ONLINE オンライン開催 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:35
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:30
ONLINE オンライン開催 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上暁喜原田紘希山中瑞樹江川孝志三好実人名工大ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
pp.25-28
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:55
静岡 静岡大学(浜松) MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・岡田成仁只友一行山口大)・竹内哲也名城大ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87
 [more] ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87
pp.49-52
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:30
静岡 静岡大学(浜松) c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田紘希三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
pp.53-56
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
13:25
愛知 名古屋工業大学 c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87
 [more] ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87
pp.5-8
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:00
愛知 名古屋工業大学 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
新規AlGaNチャネルHFET構造として,バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
pp.41-44
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:25
愛知 名古屋工業大学 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡啓太久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
pp.45-48
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
09:40
愛知 名古屋工業大学 サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨太田美希原田紘希加藤慎也三好実人江川孝志名工大ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート(AlNテンプレート)の2種類の基板上にInGa... [more] ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
pp.39-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:45
愛知 名古屋工業大学 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
pp.73-76
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
09:05
京都 京大桂キャンパス MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨三好実人江川孝志名工大ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
pp.55-59
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
14:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑智基堤 達哉三好実人江川孝志名工大ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
pp.95-99
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
14:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周三好実人江川孝志名工大ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121
pp.97-102
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