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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:50
静岡 アクトシティ浜松 縦型AlGaN系UV-B LDの作製
西林到真近藤涼輔松原衣里山田凌矢井本圭紀服部光希岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・三宅秀人三重大)・三好晃平難波江宏一ウシオ電機)・山口顕宏西進商事ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73
pp.84-87
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
15:50
静岡 アクトシティ浜松 MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール
大石悠翔肖 世玉上杉謙次郎秋山 亨玉野智弘三宅秀人三重大ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75
 [more] ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75
pp.94-97
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
16:15
静岡 アクトシティ浜松 ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価
井本圭紀近藤涼輔山田凌矢服部光希西林到真松原衣里岩山 章上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76
我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作... [more] ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76
pp.98-101
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-25
13:20
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性
薮谷歩武長谷川亮太近藤涼輔松原衣里名城大)・岩山 章名城大/三重大)・神 好人松本竜弥寅丸雅光日本製鋼所)・鳥居博典JSW afty)・今井大地竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77
 [more] ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77
pp.89-92
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:05
ONLINE オンライン開催 r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性
渋谷康太上杉謙次郎肖 世玉正直花奈子窪谷茂幸秋山 亨三宅秀人三重大ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
 [more] ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
pp.51-54
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:30
ONLINE オンライン開催 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長
石原頌也窪谷茂幸正直花奈子上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38
 [more] ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38
pp.55-58
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:45
ONLINE オンライン開催 AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出
佐藤恒輔旭化成)・大森智也山田和輝田中隼也石塚彩花手良村昌平岩山 章岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大)・竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
 [more] ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
pp.9-12
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:40
ONLINE オンライン開催 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
田中隼也名城大)・佐藤恒輔旭化成)・安江信次荻野雄矢山田和輝石塚彩花大森智也手良村昌平岩山 章名城大)・三宅秀人三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
pp.75-78
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
14:30
ONLINE オンライン開催 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上
形岡遼志小泉晴比古岩山 章三宅秀人三重大ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,二次元層状物質で,歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている.従来,h-BNは有機金... [more] ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:20
ONLINE オンライン開催 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)に周期300 nmと深さ12... [more] ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
pp.91-94
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
16:00
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入
稲森崇文窪谷茂幸石原頌也白土達也上杉謙次郎正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77
 [more] ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77
pp.99-102
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:35
静岡 静岡大学(浜松) AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
pp.45-48
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
13:25
静岡 静岡大学(浜松) UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性
田中隼也川瀬雄太名城大)・佐藤恒輔旭化成/名城大)・安江信次手良村昌平荻野雄矢名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・三宅秀人三重大ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
pp.93-96
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
14:05
愛知 名古屋工業大学 r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価
福田 涼正直花奈子蒋 楠上杉謙次郎林 侑介肖 世玉三宅秀人三重大ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104
 [more] ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104
pp.83-86
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-01-25
14:15
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究
渡邊直也元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59
ワイヤーグリッド(WG)構造は様々な応用が期待されている構造である. 偏光子や波長板, 光吸収体などの応用が考えられてい... [more] PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59
pp.41-45
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-01-25
14:40
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーのプラズモン励起特性及び感度特性
伊藤優佑元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60
 [more] PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60
pp.47-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:45
愛知 名古屋工業大学 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長
吉澤 涼林 侑介三宅秀人平松和政三重大ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
15:10
愛知 名古屋工業大学 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用
林 侑介三宅秀人平松和政秋山 亨伊藤智徳三重大)・片山竜二阪大ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
 [more] ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
pp.87-90
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