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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-28 14:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定 ○辻本凌大（阪大院工）・市川修平（阪大院工/阪大電顕センター）・赤池良太（三重大院工）・上杉謙次郎（三重大院）・中村孝夫・三宅秀人（三重大院工）・小島一信（阪大院工） |
[more] | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 15:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール ○大石悠翔・肖 世玉・上杉謙次郎・秋山 亨・玉野智弘・三宅秀人（三重大） ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75 |
[more] | ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75 pp.94-97 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 16:15 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 |
我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作... [more] | ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 pp.98-101 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:20 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性 ○薮谷歩武・長谷川亮太・近藤涼輔・松原衣里（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・神 好人・松本竜弥・寅丸雅光（日本製鋼所）・鳥居博典（JSW afty）・今井大地・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 |
[more] | ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 pp.89-92 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性 ○渋谷康太・上杉謙次郎・肖 世玉・正直花奈子・窪谷茂幸・秋山 亨・三宅秀人（三重大） ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37 |
[more] | ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37 pp.51-54 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長 ○石原頌也・窪谷茂幸・正直花奈子・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38 |
[more] | ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38 pp.55-58 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に，MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] | ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 pp.83-86 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出 ○佐藤恒輔（旭化成）・大森智也・山田和輝・田中隼也・石塚彩花・手良村昌平・岩山 章・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 |
[more] | ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 pp.9-12 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 ○白土達也・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 |
本研究では，低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] | ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 pp.41-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 pp.75-78 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 ○形岡遼志・小泉晴比古・岩山 章・三宅秀人（三重大） ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，二次元層状物質で，歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている．従来，h-BNは有機金... [more] | ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 pp.83-86 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ12... [more] | ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 pp.91-94 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入 ○稲森崇文・窪谷茂幸・石原頌也・白土達也・上杉謙次郎・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77 |
[more] | ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77 pp.99-102 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:35 |
静岡 | 静岡大学（浜松） (静岡県) | AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 |
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] | ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） (静岡県) | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 pp.93-96 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 14:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価 ○福田 涼・正直花奈子・蒋 楠・上杉謙次郎・林 侑介・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104 |
[more] | ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104 pp.83-86 |
| EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 14:15 |
兵庫 | 姫路西はりま地場産業センター (兵庫県) | 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究 ○渡邊直也・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政（三重大） PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59 |
ワイヤーグリッド(WG)構造は様々な応用が期待されている構造である. 偏光子や波長板, 光吸収体などの応用が考えられてい... [more] | PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59 pp.41-45 |
| EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 14:40 |
兵庫 | 姫路西はりま地場産業センター (兵庫県) | 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーのプラズモン励起特性及び感度特性 ○伊藤優佑・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政（三重大） PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60 |
[more] | PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60 pp.47-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ○吉澤 涼・林 侑介・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 |
AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率な... [more] | ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 pp.83-86 |
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