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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-02-21 10:45 |
東京 | 東京大学 本郷 工4号館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］量子ビット制御用低温SoC向け、超伝導Nb配線の開発 ○沼田秀昭・井口憲幸（NBS）・田中雅光（名大）・岡本浩一郎・三浦貞彦（NBS）・内田 建（東大）・石黒仁揮（慶大）・阪本利司・多田宗弘（NBS）  SDM2023-82 |
量子ビット制御用低温SoC応用に向けて，300mmウェハプロセスにコンパチブルな100nm幅の超伝導Nb配線技術を開発し... [more] | SDM2023-82 pp.4-8 |
| SDM | 2023-01-30 14:10 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ 本庄弘明・西岡浩一・三浦貞彦・○永沼 博・渡辺俊成・那須野 孝・谷川高穂・野口靖夫・井上博文・安平光雄・池田正二・遠藤哲郎（東北大） SDM2022-81 |
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] | SDM2022-81 pp.9-12 |
| ICD | 2016-04-14 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 ○小池洋紀・三浦貞彦・本庄弘明・渡辺俊成・佐藤英夫・佐藤創志・那須野 孝・野口靖夫・安平光雄・谷川高穂・丹羽正昭・伊藤顕知・池田正二・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2016-10 |
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な，高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧（Vref）生成回路，... [more] | ICD2016-10 pp.51-56 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 14:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ ○崎村 昇・辻 幸秀・根橋竜介・本庄弘明・森岡あゆ香・石原邦彦（NEC）・木下啓藏・深見俊輔（東北大）・三浦貞彦（NEC）・笠井直記・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大）・杉林直彦（NEC） SDM2014-69 ICD2014-38 |
[more] | SDM2014-69 ICD2014-38 pp.39-44 |
| ICD | 2014-04-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ～ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ～ 大澤 隆・○小池洋紀（東北大）・三浦貞彦（NEC）・木下啓蔵（東北大）・本庄弘明（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-7 |
[more] | ICD2014-7 pp.33-38 |
| ICD | 2014-04-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦（NEC）・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子（MTJ）による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路（NV-F/F）を用いた，パワーゲーティング... [more] | ICD2014-17 pp.85-90 |
| ICD | 2013-04-11 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ○遠藤哲郎・大澤 隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大） ICD2013-6 |
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] | ICD2013-6 pp.27-32 |
| ICD | 2013-04-11 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 ○松永翔雲（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明（NEC）・木下啓蔵・池田正二・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2013-7 |
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア，Ternary Content-Addressable Mem... [more] | ICD2013-7 pp.33-38 |
| ICD | 2013-04-11 16:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 ○辻 幸秀・根橋竜介・崎村 昇・森岡あゆ香・本庄弘明・徳留圭一・三浦貞彦（NEC）・鈴木哲広（ルネサス エレクトロニクス）・深見俊輔・木下啓藏・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2013-9 |
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] | ICD2013-9 pp.41-46 |
| ICD | 2012-04-24 10:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ ○根橋竜介・崎村 昇・辻 幸秀（NEC）・深見俊輔（東北大）・本庄弘明・齊藤信作・三浦貞彦・石綿延行（NEC）・木下啓蔵・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2012-10 |
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] | ICD2012-10 pp.49-54 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 14:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM ○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和（NEC）・尾崎康亮（NECエレクトロニクス）・齊藤信作・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・森 馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦（NEC） SDM2009-114 ICD2009-30 |
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] | SDM2009-114 ICD2009-30 pp.91-95 |
| ICD | 2009-04-13 14:30 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | ［招待講演］MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発 ○杉林直彦・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・斉藤信作（NEC）・伊藤雄一（NECエレクトロニクス）・三浦貞彦・加藤有光・森 馨（NEC）・尾崎康亮・小林洋介（NECエレクトロニクス）・大嶋則和・木下啓藏・鈴木哲広・永原聖万（NEC） ICD2009-3 |
[more] | ICD2009-3 pp.13-17 |
| ICD | 2006-04-14 09:30 |
大分 | 大分大学 | 4MbMRAMとその応用 ○杉林直彦・本田雄士・崎村 昇・永原聖万・三浦貞彦・志村健一・辻 清孝・福本能之・本庄弘明・鈴木哲広・加藤有光・齋藤信作・笠井直記・沼田秀昭・大嶋則和（NEC） |
開発した４ＭｂＭＲＡＭのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、０．２４... [more] | ICD2006-12 pp.63-67 |
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