お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 50件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:00
静岡 アクトシティ浜松 その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御
小林憲汰渡邊琉加西川大智竹内哲也岩谷素顕上山 智名城大ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71
実用化された赤外領域のGaAs系面発光レーザー(VCSEL)には、その場反射率スペクトル測定による膜厚制御が活用されてお... [more] ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71
pp.76-79
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:25
静岡 アクトシティ浜松 ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製
渡邊琉加小林憲汰柳川光樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72
面発光レーザー(VCSEL)の作製において、共振波長、すなわち共振器長の高精度制御が必須である。GaAs系面発光レーザー... [more] ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72
pp.80-83
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:50
静岡 アクトシティ浜松 縦型AlGaN系UV-B LDの作製
西林到真近藤涼輔松原衣里山田凌矢井本圭紀服部光希岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・三宅秀人三重大)・三好晃平難波江宏一ウシオ電機)・山口顕宏西進商事ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73
pp.84-87
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
16:15
静岡 アクトシティ浜松 ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価
井本圭紀近藤涼輔山田凌矢服部光希西林到真松原衣里岩山 章上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76
我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作... [more] ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76
pp.98-101
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-25
13:20
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性
薮谷歩武長谷川亮太近藤涼輔松原衣里名城大)・岩山 章名城大/三重大)・神 好人松本竜弥寅丸雅光日本製鋼所)・鳥居博典JSW afty)・今井大地竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77
 [more] ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77
pp.89-92
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:05
ONLINE オンライン開催 [奨励講演]ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性
宮本義也曽根直樹奥田廉士Weifang Lu伊藤和真山村志織神野幸美中山奈々美勝呂紗衣上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、p-GaNおよびn-GaNの埋め込み成長を検討... [more] ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31
pp.25-28
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:45
ONLINE オンライン開催 AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出
佐藤恒輔旭化成)・大森智也山田和輝田中隼也石塚彩花手良村昌平岩山 章岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大)・竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
 [more] ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
pp.9-12
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:00
ONLINE オンライン開催 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化
田先美貴子清原一樹小田原麻人伊藤太一竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名大ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型... [more] ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
pp.67-70
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:20
ONLINE オンライン開催 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討
宮本義也曽根直樹Weifang Lu奥田廉士伊藤和真奥野浩司飯田一喜上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノイン... [more] ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70
pp.71-74
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:40
ONLINE オンライン開催 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
田中隼也名城大)・佐藤恒輔旭化成)・安江信次荻野雄矢山田和輝石塚彩花大森智也手良村昌平岩山 章名城大)・三宅秀人三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
pp.75-78
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:35
静岡 静岡大学(浜松) AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
pp.45-48
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:50
静岡 静岡大学(浜松) AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性
小田 薫飯田涼介岩山 章清原一樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89
本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方... [more] ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89
pp.57-60
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
13:25
静岡 静岡大学(浜松) UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性
田中隼也川瀬雄太名城大)・佐藤恒輔旭化成/名城大)・安江信次手良村昌平荻野雄矢名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・三宅秀人三重大ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
pp.93-96
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
12:40
愛知 名古屋工業大学 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ
飯田涼介名城大)・林 菜摘村永 亘岩山 章竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
pp.71-74
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
10:30
愛知 名古屋工業大学 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造
小島久範安田俊輝上林大輝飯田一喜小出典克竹内哲也岩谷素顕上山 智赤崎 勇名城大ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72
 [more] ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72
pp.49-53
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:20
愛知 名古屋工業大学 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長
佐々井耕平Myunghee KIM鈴木 敦澁谷弘樹栗崎湧気軒村恭平竹林 穣上山 智竹内哲也岩谷素顕赤﨑 勇名城大ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78
 [more] ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78
pp.77-82
SS, KBSE
(共催)
IPSJ-SE
(連催) [詳細]
2017-07-20
15:50
北海道 函館コミュニティプラザ 制約付き項書換え系の依存鎖を上限付き整数増加列に変換する多項式解釈
笹野智裕西田直樹酒井正彦上山智也名大SS2017-17 KBSE2017-17
制約付き項書換え系の停止性証明の枠組みである依存対フレームワークでは,関数呼び出しの関係を表現した依存鎖を下限付き整数減... [more] SS2017-17 KBSE2017-17
pp.139-144
MSS, SS
(共催)
2015-01-26
16:55
鳥取 ブランナールみささ 制約付き項書換え系の停止性証明におけるナローイングの効果について
上山智也西田直樹酒井正彦坂部俊樹名大MSS2014-76 SS2014-40
 [more] MSS2014-76 SS2014-40
pp.43-48
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
10:50
愛知 名古屋大学VBL3階 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性
石原耕史近藤保成松原大幸岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
pp.1-6
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
11:10
愛知 名古屋大学VBL3階 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討
小森大資笹島浩希鈴木智行竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
pp.7-10
 50件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会