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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:00 |
静岡 | アクトシティ浜松 | その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 ○小林憲汰・渡邊琉加・西川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）  ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71 |
実用化された赤外領域のGaAs系面発光レーザー（VCSEL）には、その場反射率スペクトル測定による膜厚制御が活用されてお... [more] | ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71 pp.76-79 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:25 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製 ○渡邊琉加・小林憲汰・柳川光樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大） ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72 |
面発光レーザー（VCSEL）の作製において、共振波長、すなわち共振器長の高精度制御が必須である。GaAs系面発光レーザー... [more] | ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72 pp.80-83 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事） ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 16:15 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 |
我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作... [more] | ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 pp.98-101 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:20 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性 ○薮谷歩武・長谷川亮太・近藤涼輔・松原衣里（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・神 好人・松本竜弥・寅丸雅光（日本製鋼所）・鳥居博典（JSW afty）・今井大地・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 |
[more] | ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 pp.89-92 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［奨励講演］ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性 ○宮本義也・曽根直樹・奥田廉士・Weifang Lu・伊藤和真・山村志織・神野幸美・中山奈々美・勝呂紗衣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大） ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31 |
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、p-GaNおよびn-GaNの埋め込み成長を検討... [more] | ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出 ○佐藤恒輔（旭化成）・大森智也・山田和輝・田中隼也・石塚彩花・手良村昌平・岩山 章・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 |
[more] | ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 pp.9-12 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 ○田先美貴子・清原一樹・小田原麻人・伊藤太一・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名大） ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 |
GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型... [more] | ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 pp.67-70 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 ○宮本義也・曽根直樹・Weifang Lu・奥田廉士・伊藤和真・奥野浩司・飯田一喜・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 |
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノイン... [more] | ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 pp.71-74 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 pp.75-78 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:35 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 |
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] | ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 |
本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方... [more] | ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 pp.57-60 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 pp.93-96 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 12:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] | ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 pp.71-74 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 10:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 ○小島久範・安田俊輝・上林大輝・飯田一喜・小出典克・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智・赤崎 勇（名城大） ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72 |
[more] | ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72 pp.49-53 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 ○佐々井耕平・Myunghee KIM・鈴木 敦・澁谷弘樹・栗崎湧気・軒村恭平・竹林 穣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕・赤﨑 勇（名城大） ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78 |
[more] | ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78 pp.77-82 |
| SS, KBSE (共催) IPSJ-SE (連催) [詳細] |
2017-07-20 15:50 |
北海道 | 函館コミュニティプラザ | 制約付き項書換え系の依存鎖を上限付き整数増加列に変換する多項式解釈 ○笹野智裕・西田直樹・酒井正彦・上山智也（名大） SS2017-17 KBSE2017-17 |
制約付き項書換え系の停止性証明の枠組みである依存対フレームワークでは，関数呼び出しの関係を表現した依存鎖を下限付き整数減... [more] | SS2017-17 KBSE2017-17 pp.139-144 |
| MSS, SS (共催) |
2015-01-26 16:55 |
鳥取 | ブランナールみささ | 制約付き項書換え系の停止性証明におけるナローイングの効果について ○上山智也・西田直樹・酒井正彦・坂部俊樹（名大） MSS2014-76 SS2014-40 |
[more] | MSS2014-76 SS2014-40 pp.43-48 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 10:50 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 pp.1-6 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 11:10 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 ○小森大資・笹島浩希・鈴木智行・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] | ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 pp.7-10 |
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