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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
13:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価
澤田直暉京大)・成田哲生加地 徹上杉 勉豊田中研)・堀田昌宏須田 淳京大ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105
 [more] ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105
pp.27-32
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
09:50
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価
加地 徹上杉 勉豊田中研ED2012-28 CPM2012-12 SDM2012-30
 [more] ED2012-28 CPM2012-12 SDM2012-30
pp.53-56
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
10:25
大阪 阪大 中ノ島センター 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
菊田大悟成田哲生高橋直子片岡恵太木本康司上杉 勉加地 徹豊田中研)・杉本雅裕トヨタ自動車ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を... [more] ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
pp.59-62
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
11:05
東京 東工大 大岡山キャンパス Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process
Tsutomu UesugiTetsu KachiToyota Central R&D Labs.)・Tamotsu HashizumeHokkaido Univ.ED2010-108 SDM2010-109
 [more] ED2010-108 SDM2010-109
pp.253-256
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