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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) | ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大）  ED2016-96 MW2016-172 |
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] | ED2016-96 MW2016-172 pp.1-5 |
| EE, WPT (併催) |
2016-10-06 16:25 |
京都 | 龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市) (京都府) | マイクロ波絶縁ゲートドライバーを用いたパワーデバイス駆動技術 ○崔 成伯・永井秀一・根来 昇・河井康史・田畑 修・山田康博・上野弘明・上田哲三（パナソニックAIS） EE2016-23 WPT2016-29 |
新しい電力形態である双方向に電力を送電する分散型電源システムは、小型化や低損失化が今後の設備普及において課題となっている... [more] | EE2016-23 WPT2016-29 pp.25-30(EE), pp.55-60(WPT) |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 (大阪府) | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 16:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス (大阪府) | GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 ○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 |
GaN-HEMTを用いたスイッチングコンバータの回路から放射される不要な電磁波を電磁界プローブによる2次元平面スキャンで... [more] | ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 pp.117-120 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-122 MW2012-152 |
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード（SBD）を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] | ED2012-122 MW2012-152 pp.53-56 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-124 MW2012-154 |
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] | ED2012-124 MW2012-154 pp.63-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 10:05 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | ［招待講演］マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路 ○永井秀一・根来 昇・福田健志・河井康史・上田哲三・田中 毅・大塚信之・上田大助（パナソニック） SDM2012-79 ICD2012-47 |
ゲート制御信号を5.8ＧＨｚの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] | SDM2012-79 ICD2012-47 pp.89-92 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 08:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 (沖縄県) | ［招待講演］Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices ○Kenji Mizutani・Hiroaki Ueno・Yuji Kudoh・Shuichi Nagai・Kaoru Inoue・Nobuyuki Otsuka・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Panasonic） |
[more] | |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 15:35 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 ○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-139 MW2011-162 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] | ED2011-139 MW2011-162 pp.111-115 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 16:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール (京都府) | GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル ○井手利英・清水三聡・沈 旭強（産総研）・森田竜夫・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 |
GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低... [more] | ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 pp.55-60 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ (愛知県) | グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 |
グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年... [more] | ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 pp.67-70 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 14:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 ○河井康史・宇治田信二・福田健志・酒井啓之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-191 MW2010-151 |
ミリ波CMOS向けに、インバーテッドマイクロストリップライン（IMSL）を用いた新しいウェハレベルチップサイズパッケージ... [more] | ED2010-191 MW2010-151 pp.87-90 |
| ED | 2010-12-17 10:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 (宮城県) | ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-167 |
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] | ED2010-167 pp.53-58 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2008-202 MW2008-167 |
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] | ED2008-202 MW2008-167 pp.23-27 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 ○石堂輝樹・松尾尚慶・片山琢磨・上田哲三・井上 薫・上田大助（パナソニック） ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 |
GaN系トランジスタの低コスト化を実現するために、従来の高価なSiC基板に代わる大口径Si基板上の結晶成長が検討されてい... [more] | ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 pp.145-148 |
| MW | 2008-08-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学（豊中） (大阪府) | サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・酒井啓之・田中 毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） MW2008-85 |
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] | MW2008-85 pp.37-40 |
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