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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-07-06
16:35
東京 早稲田大学 電圧制御型スピントロニクスメモリにおける書込み特性の高効率化
ブヤンダライ アルタンサルガイ清水真理子與田博明井口智明大沢裕一下村尚治白鳥聡志杉山英行加藤侑志石川瑞恵鴻井克彦及川壮一池上一隆高谷 聡藤田 忍黒部 篤東芝
 [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-07-07
16:10
東京 東京工業大学 電圧制御型スピントロニクスメモリ (VoCSM)
ブヤンダライ アルタンサルガイ與田博明清水真理子井口智明大沢裕一下村尚治白鳥聡志杉山英行加藤侑志上口裕三鴻井克彦及川壮一石川瑞恵斉藤好昭黒部 篤東芝MR2017-16
電圧制御型スピントロニクスメモリ(voltage-control spintronics memory: VoCSM)は... [more] MR2017-16
pp.37-40
ICD 2017-04-20
10:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ (Ultra-low Energy Consumption High-Dentisy VoCSM) ~
與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上口裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝ICD2017-1
 [more] ICD2017-1
pp.1-4
SDM 2017-01-30
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM ~
與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上国裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝SDM2016-136
TMR効果に加えて新しく二つのスピントロニクス原理を用いた電圧制御スピントロニクスメモリアーキテクチャを提案しました。こ... [more] SDM2016-136
pp.25-28
SDM 2016-01-28
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝SDM2015-126
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] SDM2015-126
pp.27-30
ICD 2015-04-17
12:40
長野 信州大学 [招待講演]キャッシュメモリ向け垂直磁化型STT-MRAMの低電力化技術
野口紘希池上一隆櫛田桂一安部恵子板井翔吾高谷 聡田中千加鎌田親義天野 実北川英二下村尚治川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝ICD2015-10
 [more] ICD2015-10
pp.45-50
SDM 2015-01-27
14:50
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM
池上一隆野口紘希鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一落合隆夫下村尚治板井翔吾才田大輔田中千加川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝SDM2014-142
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] SDM2014-142
pp.29-32
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-02
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]垂直磁化型STT-MRAMを用いたノーマリオフコンピューティング
野口紘希池上一隆下村尚治棚本哲史伊藤順一藤田 忍東芝ICD2014-102 CPSY2014-114
 [more] ICD2014-102 CPSY2014-114
pp.107-112
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-10-03
09:30
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発
才田大輔下村尚治北川英二鎌田親義矢ヶ部 恵大沢裕一藤田 忍伊藤順一東芝MR2014-18
東芝では,スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで,SRA... [more] MR2014-18
pp.27-31
SDM 2014-01-29
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望
湯浅新治福島章雄薬師寺 啓野崎隆行甲野藤真前原大樹久保田 均谷口知大荒井礼子今村裕志安藤功兒産総研)・塩田陽一Frederic Bonnel鈴木義茂阪大)・下村尚治東芝SDM2013-140
 [more] SDM2013-140
pp.23-28
SDM 2014-01-29
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ
野口紘希武田 進野村久美子安部恵子池上一隆北川英二下村尚治伊藤順一・○藤田 忍東芝SDM2013-141
 [more] SDM2013-141
p.29
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
16:35
東京 中央大学 スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討
伊藤順一與田博明藤田 忍下村尚治北川英二安部恵子野村久美子野口紘希東芝MR2013-13
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] MR2013-13
pp.37-41
ICD 2013-04-11
15:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する垂直磁化STT-MRAMメモリテクノロジ
藤田 忍安部恵子野口紘希野村久美子北川英二下村尚治伊藤順一與田博明東芝ICD2013-8
 [more] ICD2013-8
pp.39-40
ICD 2010-04-22
13:30
神奈川 湘南工大 [招待講演]MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM
土田賢二稲場恒夫藤田勝之上田善寛清水孝文浅尾吉昭梶山 健岩山昌由池川純夫岸 達也甲斐 正天野 実下村尚治與田博明渡辺陽二東芝ICD2010-7
本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit... [more] ICD2010-7
pp.35-40
ICD 2008-04-18
14:45
東京 機械振興会館 TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証
中山昌彦甲斐 正下村尚治天野 実北川英二永瀬俊彦吉川将寿岸 達也池川純夫與田博明東芝ICD2008-14
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁... [more] ICD2008-14
pp.75-78
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