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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 12:35 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 ○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）  SDM2023-74 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて，量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] | SDM2023-74 pp.1-4 |
| SDM | 2014-06-19 10:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大） SDM2014-46 |
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] | SDM2014-46 pp.17-20 |
| SDM | 2013-06-18 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | Fe3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2013-51 |
[more] | SDM2013-51 pp.39-42 |
| SDM | 2012-06-21 14:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2012-54 |
[more] | SDM2012-54 pp.59-62 |
| SDM | 2011-07-04 14:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2011-62 |
金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子... [more] | SDM2011-62 pp.69-73 |
| SDM | 2010-06-22 11:25 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調：第一原理計算による化学的傾向の検討 ○小日向恭祐・丸田勇亮・中山隆史（千葉大） SDM2010-37 |
金属/Si界面に発生する偏析原子層の安定性とショットキーバリア変調の化学的傾向を、偏析原子種をII族からVII族までを変... [more] | SDM2010-37 pp.23-26 |
| SDM | 2009-06-19 16:55 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 ○五月女真一・中山隆史（千葉大） SDM2009-43 |
[more] | SDM2009-43 pp.93-97 |
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