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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| NS, SR, RCS, SeMI, RCC (併催) |
2022-07-13 14:25 |
石川 | 金沢歌劇座 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
基地局機能を有するEVを用いた無線メッシュネットワークにおける災害時の省電力化に向けた配置制御と送信電力制御に関する研究 ○中島敦生・川本雄一・加藤 寧（東北大）  NS2022-32 |
近年，モバイルトラヒックが増加しており，モバイル回線のさらなる大容量化が求められている．そこ で，従来の MBS (Ma... [more] | NS2022-32 pp.30-34 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 12:50 |
東京 | 機械振興会館 | 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2011-133 MW2011-156 |
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの２次元数値解析を行い，耐... [more] | ED2011-133 MW2011-156 pp.81-85 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2010-183 MW2010-143 |
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，ゲートフィールドプ... [more] | ED2010-183 MW2010-143 pp.45-50 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析 ○中島 敦・板垣圭一・堀尾和重（芝浦工大） ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117 |
[more] | ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117 pp.103-108 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析 ○板垣圭一・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2007-206 MW2007-137 |
[more] | ED2007-206 MW2007-137 pp.1-5 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:50 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 ○中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，その結果より... [more] | ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 pp.67-72 |
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