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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-02-07 13:20 |
東京 | 東京大学 武田ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］BSIピクセルピッチハイブリッド接合および3層積層技術 ○谷田一真・鈴木 繁・瀬尾俊紀・森永泰規・興梠隼人・手谷道成・浜田政一・江藤竜二・山下武志・加藤靖啓・佐藤直昭・清水但美・塙 哲郎・久保裕子・伊藤史隆・野口佳裕・中村成志・水越隆司・竹内雅彦・鈴木政勝・新添真人・宮永 績・池田 敦・松本 晋（パナソニック・タワージャズセミコンダクター）  SDM2022-88 |
裏面照射型(BSI)イメージセンサに用いるピクセルピッチハイブリッド接合(1.35µm)およびフルハイブリッド接合による... [more] | SDM2022-88 pp.13-16 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 ○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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| ED | 2010-09-13 13:50 |
福岡 | 九州工業大（若松キャンパス） | Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム ○瀧本拓真・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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| ED | 2009-06-11 15:35 |
東京 | 東京工業大学 | GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 ○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2009-40 |
[more] | ED2009-40 pp.21-25 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ○束原 肇・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 |
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術（マイクロオリガミ）を適用し，界面に生じる二次元電子ガス（2DEG）の影響を調... [more] | ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 pp.149-154 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 ○須田将之（都立大）・中村成志・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した．水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて，低... [more] | R2005-45 ED2005-180 SDM2005-199 pp.43-46 |
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