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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 13:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果 ○山崎雄也・鈴木裕史・小林康之・中澤日出樹（弘前大）  CPM2023-105 |
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] | CPM2023-105 pp.38-41 |
| MRIS, CPM, OME (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2023-10-27 10:30 |
新潟 | 新潟大学(駅南キャンパスときめいと) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性 ○山崎雄也・佐々木祐弥・中澤日出樹（弘前大） MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 |
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S... [more] | MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 pp.33-36 |
| CPM | 2023-08-01 09:45 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 ○齋藤遼佑・奈良友奎・葛西大希・郡山春人・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2023-19 |
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] | CPM2023-19 pp.29-32 |
| CPM | 2023-02-28 11:30 |
東京 | 東京工科大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性 ○西田竜也・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2022-94 |
[more] | CPM2022-94 pp.35-38 |
| CPM | 2022-08-04 16:15 |
北海道 | 北見工業大学 | マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果 ○西田竜也・谷口 颯・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2022-15 |
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化ア... [more] | CPM2022-15 pp.14-17 |
| CPM | 2021-10-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果 ○佐々木祐弥・長内公哉・大谷優介・室野優太・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史・中澤日出樹（弘前大） CPM2021-26 |
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ... [more] | CPM2021-26 pp.23-28 |
| CPM | 2020-10-29 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果 ○葛西大希・奈良友奎・中澤日出樹（弘前大） CPM2020-13 |
[more] | CPM2020-13 pp.7-10 |
| CPM | 2020-10-29 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果 ○谷口 颯・郡山春人・小林康之・遠田義晴（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2020-17 |
[more] | CPM2020-17 pp.23-26 |
| CPM | 2019-11-07 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 ○長内公哉・中村和樹・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2019-46 |
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] | CPM2019-46 pp.9-14 |
| CPM | 2019-08-26 15:50 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・奈良友奎・葛西大希（弘前大） CPM2019-42 |
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] | CPM2019-42 pp.23-28 |
| CPM | 2019-02-28 15:25 |
東京 | 電通大 | 炭素系薄膜の作製と評価 ○中澤日出樹（弘前大） CPM2018-109 |
[more] | CPM2018-109 pp.37-40 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-02 14:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 ○中澤日出樹・中村和樹・長内公哉・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2018-52 |
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] | CPM2018-52 pp.99-104 |
| CPM | 2018-08-09 14:30 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼（弘前大）・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希（東北大）・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹（弘前大） CPM2018-8 |
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] | CPM2018-8 pp.1-6 |
| CPM | 2018-08-09 14:50 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 ○中澤日出樹・成田舜基・奈良友奎・遠田義晴（弘前大） CPM2018-9 |
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] | CPM2018-9 pp.7-12 |
| CPM | 2018-08-09 15:10 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 ○奈良友奎・工藤あさひ・中澤日出樹（弘前大） CPM2018-10 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | CPM2018-10 pp.13-16 |
| CPM | 2018-08-09 16:05 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | 真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討 ○対馬和都・滝田健介・中澤日出樹（弘前大）・俵 毅彦・舘野功太・章 国強・後藤秀樹（NTT）・池田高之・水野誠一郎（NTT-AT）・岡本 浩（弘前大） CPM2018-12 |
[more] | CPM2018-12 pp.21-24 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-08-31 13:55 |
青森 | 弘前文化センター | レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 ○奈良友奎・成田舜基・中澤日出樹（弘前大） R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 pp.7-10 |
| CPM | 2015-08-10 13:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 目黒一煕・成田舜基・○中澤日出樹（弘前大） CPM2015-31 |
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] | CPM2015-31 pp.1-5 |
| CPM | 2015-08-10 13:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響 ○土屋政人・村上和輝・佐藤達人・高見貴弘・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-32 |
CH4、N2および希釈ガスとしてArを用い、基板バイアスにパルスバイアスを用いたRFプラズマCVD法により、基板パルスバ... [more] | CPM2015-32 pp.7-10 |
| CPM | 2015-08-10 14:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 ○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-33 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] | CPM2015-33 pp.11-14 |
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