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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-02-28 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］先端Low-k配線技術における課題と指針 ○井上尚也（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2013-166 |
先端LSIの多層配線の開発トレンドを概観しながら、Low-k材料に注目したインテグレーションの課題とその解決策についてま... [more] | SDM2013-166 pp.7-12 |
| SDM | 2012-03-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス ○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-177 |
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] | SDM2011-177 pp.7-11 |
| SDM | 2012-03-05 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 ○金子貴昭・井上尚也・齋藤 忍・古武直也・砂村 潤・川原 潤・羽根正巳・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-178 |
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] | SDM2011-178 pp.13-17 |
| SDM | 2011-02-07 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ロバストLow-k(k～2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証 ○井上尚也・植木 誠・山本博規・久米一平・川原 潤・井口 学・本田広一・堀越賢剛・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2010-217 |
LSI配線における層間絶縁膜の誘電率 (k値) 低減が、遅延やタイミングマージンなどのLSI性能に及ぼす影響を、40nm... [more] | SDM2010-217 pp.7-12 |
| SDM | 2010-02-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 ○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス） SDM2009-183 |
28ｎｍ世代以降の最先端ＬＳＩや車載用途などの高い信頼性が必要とされるＬＳＩに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたＣｕダマシ... [more] | SDM2009-183 pp.7-11 |
| SDM | 2010-02-05 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 ○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研） SDM2009-190 |
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である．陽電子が電子と対消滅する... [more] | SDM2009-190 pp.49-52 |
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