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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:50
北海道 北海道大学百年記念会館 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング
木村史哉アブドゥラ ハナキ孫 屹佐々木祥太永山幸希小山政俊前元利彦佐々誠彦阪工大ED2016-132 SDM2016-149
酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのエネルギーバンドギャップを有するため,可視光領域において透明である.また,次世代ディ... [more] ED2016-132 SDM2016-149
pp.13-16
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
14:00
北海道 北海道大学百年記念会館 [招待講演]酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦孫 屹松田宗平佐々木翔太芦田浩平カルトシュタイン オリバー小山政俊小池一歩矢野満明佐々誠彦阪工大ED2015-121 SDM2015-128
酸化物半導体のデバイス応用として,フレキシブル酸化亜鉛(Zinc oxide; ZnO)薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] ED2015-121 SDM2015-128
pp.1-6
ED 2015-08-04
11:30
東京 機械振興会館 MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスによる直熱型ガスセンサ
寺田二郎大松 繁佐々誠彦矢野満明阪工大ED2015-52
MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスのTiO2含有量を制御した2層構造の素子を用い,我々は熱的緩和と高感度化... [more] ED2015-52
pp.41-45
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性
孫 屹木村祐太前元利彦佐々誠彦阪工大)・葛西誠也北大ED2012-133 SDM2012-162
酸化物半導体のデバイス応用として,セルフスイッチング型ナノダイオード(Self Switching nano-Diode... [more] ED2012-133 SDM2012-162
pp.31-34
ED, MW
(共催)
2010-01-14
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]高性能ZnO系FETの開発 ~ デバイス応用と高周波特性 ~
佐々誠彦小池一歩前元利彦矢野満明井上正崇阪工大ED2009-184 MW2009-167
酸化亜鉛(ZnO)は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタ... [more] ED2009-184 MW2009-167
pp.55-60
ED, SDM
(共催)
2008-01-30
15:55
北海道 北海道大学 InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送
小山政俊井上達也天野直樹藤原健司前元利彦佐々誠彦井上正崇阪工大ED2007-242 SDM2007-253
InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する.InAs/AlGaSb... [more] ED2007-242 SDM2007-253
pp.29-32
SDM, ED
(共催)
2007-02-02
11:05
北海道 北海道大学 百年記念会館 InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
小山政俊高橋 寛井上達也前元利彦佐々誠彦井上正崇阪工大
 [more] ED2006-252 SDM2006-240
pp.67-71
ED 2006-12-08
13:50
東京 機械振興会館 サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価
高橋 寛井上達也前元利彦佐々誠彦井上正崇阪工大
 [more]
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