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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
10:20
熊本 熊本市 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発
新川田裕樹坪井信生ルネサス エレクトロニクス)・津田淳史ルネサス システムデザイン)・佐藤伸吾関西大)・山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-58 ICD2015-27
量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensit... [more] SDM2015-58 ICD2015-27
pp.7-10
SDM 2014-11-06
10:05
東京 機械振興会館 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル
呂 鴻飛佐藤伸吾大村泰久関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大SDM2014-96
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] SDM2014-96
pp.1-6
SDM 2014-11-06
10:30
東京 機械振興会館 Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討
大村泰久佐藤伸吾関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大SDM2014-97
 [more] SDM2014-97
pp.7-12
SDM 2013-11-15
11:15
東京 機械振興会館 Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル
大村泰久・○佐藤大貴佐藤伸吾関西大)・Abhijit Mallikカルカッタ大SDM2013-109
本報告では、LSIの低エネルギー化を目標として幅広く検討されているTunnel FETの実用的なモデルの構築を目指して、... [more] SDM2013-109
pp.55-60
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
14:35
東京 機械振興会館 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化
山村 毅佐藤伸吾大村泰久関西大
 [more] VLD2006-46 SDM2006-167
pp.43-48
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