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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション ○福田浩一・西澤正泰・多田哲也（産総研）・Leonid Bolotov（筑波大）・鈴木 腕・佐藤成生（富士通セミコンダクター）・有本 宏・金山敏彦（産総研）  SDM2011-119 |
[more] | SDM2011-119 pp.21-26 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 ○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀 陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス） SDM2009-106 ICD2009-22 |
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] | SDM2009-106 ICD2009-22 pp.49-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI）を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ～ ハイブリッド・ゲート構造 ～ 大田裕之（富士通研）・川村和郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・福留秀暢（富士通研）・田島 貢・岡部堅一（富士通マイクロエレクトロニクス）・○池田圭司・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通研） SDM2008-148 ICD2008-58 |
本論文では新しい歪み技術である不純物閉じ込め層（DCL）をNMOSに、2層のNiフルシリサイド（Ni-FUSI）をPMO... [more] | SDM2008-148 ICD2008-58 pp.115-120 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 15:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | [パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k！ 榎本忠儀（中大）・○高柳万里子（東芝）・佐藤成生（富士通）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・西山 彰（東芝）・長谷 卓（NEC）・濱田基嗣（東芝）・由上二郎（ルネサステクノロジ） |
(事前公開アブストラクト) Hi-K技術のパネル討論会 [more] | SDM2005-155 ICD2005-94 pp.73-78 |
| ICD | 2005-04-15 14:30 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開 ○上村大樹・戸坂義春・芦澤芳夫・岡 秀樹・佐藤成生（富士通研） |
近年、LSIのソフトエラーに対する危惧が再び高まりつつある。これはメモリだけでなくロジックのソフトエラーも問題になり始め... [more] | ICD2005-19 pp.37-42 |
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