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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2016-07-23 15:05 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）  ED2016-29 |
現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] | ED2016-29 pp.11-15 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| ED | 2015-07-24 15:10 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2015-40 |
[more] | ED2015-40 pp.21-24 |
| SDM | 2015-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） SDM2015-40 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] | SDM2015-40 pp.11-16 |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| ED | 2013-08-08 17:10 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価 ○上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所）・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2013-43 |
[more] | ED2013-43 pp.29-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes ○Masataka Higashiwaki（NICT/JST）・Kohei Sasaki（Tamura Corp./NICT）・Akito Kuramata（Tamura Corp.）・Takekazu Masui（Koha Co., Ltd.）・Shigenobu Yamakoshi（Tamura Corp.） |
[more] | |
| LQE | 2004-12-03 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 ○館林 潤・羽鳥伸明・石田 充・江部広治（東大）・須藤久男・倉又朗人（富士通研）・菅原 充・荒川泰彦（東大） |
量子ドットは近年その大きな歪効果・量子効果を利用することによるバンド構造エンジニアリング的観点からGaAs基板上で光通信... [more] | LQE2004-126 pp.45-50 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2004-11-04 17:30 |
福岡 | 九州工業大学 | 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討 ○秋山 傑・伊藤浩明・竹内辰也・廣瀬真一・渡辺孝幸・関口茂昭・倉又朗人・山本剛之（富士通研） |
コンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有するInPマッハツェンダ変調器において、近年、進行波電極の導入による高速... [more] | OCS2004-92 OPE2004-157 LQE2004-101 pp.51-56 |
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