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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 (Webex) | ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果 ○田中京輔・奈良俊宏・矢ヶ崎 司・伊藤里樹・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大）  EID2022-7 |
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により，a面サファイア基板上に， (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] | EID2022-7 pp.13-16 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 10:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 ○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦（静岡大）・酒井 優（山梨大）・光野徹也（静岡大） ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 |
[more] | ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 pp.5-8 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:42 |
徳島 | 徳島大学 | Gaの窒化によるGaN粉末の作製と発光特性 ○清水乙生・伊藤亜純・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-46 |
[more] | EID2016-46 pp.129-132 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:20 |
富山 | 富山大学 | AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作 ○武島歩志・光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2015-36 |
[more] | EID2015-36 pp.89-91 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:45 |
富山 | 富山大学 | 減圧CVD成長によってサファイア基板上に作製した六方晶BN薄膜の発光特性 ○清水乙生・梅原直己・増田 敦・渡辺佳那・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2015-38 |
BCl3とNH3を原料とする減圧CVDにより，c面サファイア基板上に作製した六方晶窒化ホウ素薄膜について，カソードルミネ... [more] | EID2015-38 pp.97-100 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 14:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 |
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] | ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 pp.17-19 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-22 15:24 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | 深紫外発光応用に向けた六方晶BN薄膜のCVD成長 ○増田 敦・梅原直己・清水乙生・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2014-45 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った．成... [more] | EID2014-45 pp.41-44 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 11:02 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | トップダウンによる三角形状GaNマイクロディスクの光学特性に関する検討 ○鈴木 翔・光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2014-53 |
一辺1.5 umから4.4 um、高さ1.2 um程度の三角形状GaNマイクロディスクを三角格子状に配列したマイクロディ... [more] | EID2014-53 pp.103-105 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 11:10 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | 六角形状GaNマイクロディスクレーザの光放射特性の検討 ○光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2014-54 |
六角形状GaNマイクロディスクとは一辺が1.5um、厚さ250nm程度の高品質GaN結晶である。本構造はウィスパリングモ... [more] | EID2014-54 pp.107-109 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:18 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 高温CVDにより成長した六方晶BN薄膜の発光特性 ○梅原直己・桑原伊織・李 惠映・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2013-14 |
BCl3とNH3を原料とする常圧の化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行っ... [more] | EID2013-14 pp.25-28 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:26 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | トップダウンによる六角形状GaNマイクロディスクアレイからの光励起発振 ○鈴木 翔・光野徹也（静岡大）・山野晃司・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2013-15 |
電子線描画と反応性イオンエッチングにより、GaN薄膜を微細加工することで、一辺1.5 um、高さ900 nm程度の六角形... [more] | EID2013-15 pp.29-31 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 13:30 |
静岡 | 静岡大学 | 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2012-14 |
1辺の長さが1から2マイクロメートル程度の六角形状GaNマイクロディスク結晶の光共振機構について有限時間領域差分法による... [more] | EID2012-14 pp.1-3 |
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