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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) SID-JC, IEIJ-SSL (共催) (連催) [詳細] |
2024-01-25 13:10 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演] ○阿部祥也・谷内田健太・澤井一輝（龍谷大）・松田時宜（近畿大）・河西秀典・木村 睦（龍谷大）  EID2023-3 |
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)で... [more] | EID2023-3 pp.5-8 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) SID-JC, IEIJ-SSL (共催) (連催) [詳細] |
2024-01-25 13:15 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］メモリスタを用いたシナプス素子によるニューロンの膜電位変化の再現 ○谷内田健太・阿部祥也・澤井一輝（龍谷大）・松田時宜（近大/龍谷大）・河西秀典（龍谷大）・木村 睦（龍谷大/奈良先端大） EID2023-4 |
メモリスタと高抵抗SiO2を統合した薄膜ニューロモルフィックデバイスを用いてニューロンの膜電位の変化の再現を試みた．メモ... [more] | EID2023-4 pp.9-12 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 11:55 |
ONLINE | オンライン開催 | STDP学習側を用いた酸化物半導体薄膜シナプス素子の検討 ○片桐徹也・山川大樹・谷内田健太・森垣和樹・木村 睦（龍谷大） EID2020-6 SDM2020-40 |
ニューロモルフィックハードウェアは現在のノイマン型コンピュータ上で実行される人工知能（Artificial Intell... [more] | EID2020-6 SDM2020-40 pp.21-24 |
| MW | 2009-11-20 09:25 |
鹿児島 | JAXA種子島宇宙センター | 2/5GHz帯デュアルバンドディジタル制御LC発振器の開発 ○内田健太・トマル アビシェク・ポカレル ラメシュ・金谷晴一・吉田啓二（九大） MW2009-136 |
本報告では、2/5 GHz帯で動作するデュアルバンドのディジタル制御発振器の設計とその方法について報告する。我々の提案す... [more] | MW2009-136 pp.47-52 |
| MW, SCE (共催) |
2009-04-23 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 5.2GHz帯DCOの開発と高性能化の検討 ○内田健太・トマル アビェシク・ポカレル ラメシュ・金谷晴一・吉田啓二（九大） SCE2009-3 MW2009-3 |
本報告では、RFフロントエンドLSIにおけるVCO(電圧制御発振器)のディジタル制御化、即ちDCO(Digitally ... [more] | SCE2009-3 MW2009-3 pp.11-16 |
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