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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
15:20
静岡 アクトシティ浜松 Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題
伊藤佑太渡邉浩崇出来真斗新田州吾田中敦之本田善夫天野 浩名大ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59
縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドー... [more] ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59
pp.25-30
SDM 2019-06-21
16:25
愛知 名古屋大学 VBL3F ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価
出来真斗奥出 真安藤悠人渡邉浩崇田中敦之久志本真希新田州吾本田善央天野 浩名大SDM2019-34
 [more] SDM2019-34
pp.43-46
SDM 2018-06-25
11:00
愛知 名古屋大学 VBL3F オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
出来真斗安藤悠人渡邉浩崇田中敦之久志本真希新田州吾本田善央天野 浩名大SDM2018-16
 [more] SDM2018-16
pp.1-4
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