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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2012-07-26 14:20 |
山形 | 山形大学米沢キャンパス | ［招待講演］パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ ～ 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 ～ ○畑迫健一・新田哲也・羽根正巳・前川繁登（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2012-23 |
電気機器や電装品は“高効率かつ省エネルギー”が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位... [more] | ICD2012-23 pp.25-29 |
| ICD | 2005-12-16 11:15 |
高知 | 高知工科大 | PD-SOIの動的ボディ・バイアス制御を利用したブートストラップ型パス・トランジスタ方式 ○飯島正章・北村雅之・濱田健司・沼 昌宏（神戸大）・多田 章・前川繁登（ルネサステクノロジ） |
本稿では，論理回路の高速化と低消費電力化を両立するため，低電源電圧動作に適したブートストラップ型パス・トランジスタ方式に... [more] | ICD2005-197 pp.31-36 |
| ICD | 2005-12-16 11:40 |
高知 | 高知工科大 | 電荷再利用型動的ボディ電位制御によるSOI-CMOSの高速化手法 ○北村雅之・飯島正章・濱田健司・沼 昌宏（神戸大）・野谷宏美・多田 章・前川繁登（ルネサステクノロジ） |
本稿では，SOIデバイスの特徴を生かし，トランジスタのボディ電位を動的に制御することで，リーク電流を増加させずに高速化を... [more] | ICD2005-198 pp.37-42 |
| SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2005-10-20 16:30 |
宮城 | 作並温泉一の坊 | SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM) ○行天隆幸・森下 玄・野田英行（ルネサステクノロジ）・岡本真子（大王電機）・一法師隆志・前川繁登・堂阪勝己・有本和民（ルネサステクノロジ） |
本稿では，SOIを用いた新規のメモリとして，キャパシタレス・ツインセルトランジスタRAM（TTRAM）を提案する。提案す... [more] | SIP2005-113 ICD2005-132 IE2005-77 pp.107-112 |
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