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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
空洞共振器を用いた周波数ΔΣ変調方式位置センサとその応用 ○前澤宏一・森 雅之（富山大）  ED2022-18 |
周波数ΔΣ変調方式は，電圧制御発振器による周波数変調を基盤としたアナログ-デジタル変換(ADC)方式であり，非常に大きな... [more] | ED2022-18 pp.5-8 |
| ED | 2019-08-06 15:25 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 周波数ΔΣ変調方式センサに対する発振器位相ノイズの影響 ○前澤宏一・森 雅之（富山大） ED2019-29 |
[more] | ED2019-29 pp.13-16 |
| ED | 2018-08-08 17:20 |
海外 | 機械振興会館 (海外(アジア)) | 周波数ΔΣ変調型センサのための10GS/s FPGA測定系の構築 ○前澤宏一・山岡昂博・森 雅之（富山大） ED2018-25 |
周波数ΔΣ 変調(FDSM) 方式を用いたセンサは，高ダイナミックレンジ，広い周波数帯域幅が可能なデジタル出力センサ技術... [more] | ED2018-25 pp.31-34 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-18 15:15 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 (宮城県) | ［招待講演］共鳴トンネル発振器の安定性改善とセンサ応用 ○前澤宏一（富山大） ED2017-76 |
RTD 発振器はTHz 信号源として有望であり，すでに1.92THz の発振も報告されている．しかし，RTD は直流から... [more] | ED2017-76 pp.15-18 |
| ED | 2017-08-09 16:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | THz帯域を目指した新構造可変位相シフタ ○前澤宏一・中野大輔・森 雅之（富山大）・石井 仁（豊橋技科大）・安藤浩哉（豊田高専） ED2017-31 |
[more] | ED2017-31 pp.25-28 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 09:30 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) (愛知県) | GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 モハマド モンズール・○森 雅之・下山浩哉・前澤宏一（富山大） ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17 |
[more] | ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17 pp.45-49 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 11:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 (北海道) | 共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路発振器の高調波生成に関する線形モデル解析 ○前澤宏一・岸 拓郎・森 雅之（富山大） ED2016-133 SDM2016-150 |
共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路はゲインを持つ伝送線路であり，容易に発振器を構成できる．我々はこれまで，シミュレーショ... [more] | ED2016-133 SDM2016-150 pp.17-22 |
| ED | 2016-08-10 11:50 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 周波数ΔΣ変調器のデジタル出力センサへの応用 ○前澤宏一・藤野舜也・山岡昂博・山川雅暉・島田知輝・角谷祐一郎・田近拓巳・森 雅之（富山大） ED2016-42 |
[more] | ED2016-42 pp.65-70 |
| ED | 2016-07-23 15:55 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 (東京都) | Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ○三枝孝彰・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2016-31 |
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] | ED2016-31 pp.21-24 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 11:05 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) (静岡県) | Si(111)-√3×√3－Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 下山浩哉・○森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 |
Si(111)基板上のGa誘起表面再構成構造（Si(111)-√3×√3-Ga）を介したSi(111)基板上へのGaSb... [more] | ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 pp.51-54 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-04 11:15 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 (北海道) | HEMTと空洞共振器を用いたΔΣ型マイクロフォンセンサ ○山岡昴博・藤野瞬也・山岸 凌・山川雅暉・島田知輝・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2015-129 SDM2015-136 |
[more] | ED2015-129 SDM2015-136 pp.45-48 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 14:15 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム (青森県) | ［招待講演］Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術 ○前澤宏一・中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・山田悟史・森 雅之（富山大） R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36 |
異種材料デバイス集積技術は，これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要... [more] | R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36 pp.27-32 |
| ED | 2015-07-25 11:30 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) (石川県) | 共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ ○前澤宏一・角谷祐一郎・中山大周・田近拓巳・森 雅之（富山大） ED2015-46 |
共鳴トンネルダイオード(RTD)の微分負性抵抗は発振器の基盤であり，これを用いてすでに1THzを越える基本波発振が報告さ... [more] | ED2015-46 pp.51-55 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 17:25 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） (北海道) | 共鳴トンネル超再生検波回路における基本波を超える高周波信号の検波 ○前澤宏一・潘 杰・角谷祐一郎・中山大周・森 雅之（富山大） ED2014-146 SDM2014-155 |
[more] | ED2014-146 SDM2014-155 pp.45-49 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 09:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 (北海道) | 共鳴トンネル発振器のセンサー応用 ○前澤宏一・潘 杰・角谷祐一郎・中野 純・森 雅之（富山大） ED2013-143 SDM2013-158 |
共鳴トンネルダイオード(RTD) の微分負性抵抗は発振器の基盤であり，これを用いてすでに1THz を越える基本波発振が報... [more] | ED2013-143 SDM2013-158 pp.61-66 |
| ED | 2013-08-08 14:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 (富山県) | 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化 ○呉 東坡・水牧勝太朗・潘 杰・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-37 |
我々は共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化方法について検討した。共鳴トンネルダイオードの電圧振幅は限... [more] | ED2013-37 pp.1-4 |
| ED | 2013-08-08 14:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 (富山県) | 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly ○中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-38 |
溶融金属バンプを用いたFluidic Self-Assembly (FSA)は非常に有望な異種材料集積技術のひとつであり... [more] | ED2013-38 pp.5-8 |
| ED | 2013-08-09 09:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 (富山県) | 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス ○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-44 |
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] | ED2013-44 pp.33-36 |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 (富山県) | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） (北海道) | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
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