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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-10-18 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 ○前田康貴・朴 鏡恩・小松勇貴・大見俊一郎（東工大）  SDM2018-60 |
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] | SDM2018-60 pp.41-45 |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 16:45 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 ○大見俊一郎・廣木瑞葉・張 鴻立・前田康貴（東工大） SDM2017-4 OME2017-4 |
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクト... [more] | SDM2017-4 OME2017-4 pp.15-18 |
| SDM | 2016-10-27 10:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 ○前田康貴・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2016-74 |
フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表... [more] | SDM2016-74 pp.31-34 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 12:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 ○大見俊一郎・前田康貴・古山 脩・廣木瑞葉（東工大） SDM2016-3 OME2016-3 |
ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示す... [more] | SDM2016-3 OME2016-3 pp.11-15 |
| SDM | 2015-10-30 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大） SDM2015-80 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2015-80 pp.49-52 |
| SDM | 2013-10-18 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） SDM2013-93 |
低仕事関数を有するLaB6は，窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている．本研究では窒素添加したLaB6... [more] | SDM2013-93 pp.27-31 |
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