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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW 2024-11-15
10:10
沖縄 JA久米島 阿里ゆんたく舘 (沖縄県, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
0.9-4.0 GHzリアクティブ整合型30W級GaN MMIC HPA及び整合回路小型化に関する一検討
佐藤弘隆神岡 純三輪真一加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2024-134
0.9-4.0 GHzの4倍帯域で動作する広帯域GaN MMIC高効率高出力増幅器の設計手法・試作結果について報告する.... [more] MW2024-134
pp.57-60
MW 2024-03-01
09:00
岡山 岡山県立大学 (岡山県, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器
山下晋平河村由文中谷圭吾加茂宣卓山中宏治三菱電機MW2023-186
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器MMICの試作結果を報... [more] MW2023-186
pp.62-65
MW 2024-03-01
09:25
岡山 岡山県立大学 (岡山県, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Beyond 5G向け3逓倍器方式100GHz帯GaN送信モジュール
河村由文山下晋平中谷圭吾山中宏治加茂宣卓堀口健一國井徹郎天清宗山三菱電機MW2023-187
Beyond 5G(B5G)では、5Gの10倍以上の超高速・大容量通信を目標として掲げている。その超高速・大容量通信を実... [more] MW2023-187
pp.66-69
MW, AP
(併催)
2023-09-28
10:10
高知 高知城歴史博物館 (高知県, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器
久樂 顕神岡 純桑田英悟山口裕太郎加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2023-81
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する.広帯域化と低雑音化を両立... [more] MW2023-81
pp.7-10
MW, ED
(共催)
2023-01-27
11:25
東京 機械振興会館 (東京都, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
不等間隔くし形安定化回路を用いたX帯600W超高出力IM-FET
桑田英悟杉谷拓海山崎貴嗣加茂宣卓新庄真太郎三菱電機ED2022-90 MW2022-149
 [more] ED2022-90 MW2022-149
pp.25-28
MW 2019-11-14
16:40
沖縄 南大東村多目的交流センター (沖縄県) バンドパスフィルタ構造を有する分布型増幅器を用いた2.5-10 GHz GaN MMIC HPA
神岡 純半谷政毅三輪真一加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2019-108
広帯域化に向けてバンドパスフィルタ構造を有する分布型増幅器を提案し,設計手法を示した.また,提案の分布型増幅器を用いて2... [more] MW2019-108
pp.47-51
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-07-19
15:00
北海道 洞爺観光ホテル (北海道) 小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA
神岡 純桑田英悟中原和彦加茂宣卓半谷政毅新庄真太郎三菱電機EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC (Monolithic Microwave Int... [more] EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
pp.119-124
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機ED2016-110 MW2016-186
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている.この高電圧半導体にマッチした,小型な回路でインピーダ... [more] ED2016-110 MW2016-186
pp.75-79
ED 2016-01-20
15:30
東京 機械振興会館 (東京都) GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析
渡辺伸介今井翔平桑田英悟小山英寿加茂宣卓山本佳嗣三菱電機ED2015-119
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] ED2015-119
pp.43-48
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