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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
10:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 リン酸塩蛍光体材料に添加したEuの化学的および光学的な還元特性
蔦 将哉吉荒就斗加藤有行長岡技科大)・中村 奨長岡高専CPM2018-49
蛍光体材料に添加される希土類イオンのEuはその価数(Eu3+,Eu2+)により発光色が変化する特徴をもつ.通常,酸化物中... [more] CPM2018-49
pp.65-68
CPM 2017-07-22
09:48
北海道 北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室 SOI基板上へのフォトニック結晶共振器の形成と量子ドットの発光特性
松冨俊貴林 武司渡邊航大玉山泰宏加藤有行安井寛治長岡技科大CPM2017-33
 [more] CPM2017-33
pp.61-66
CPM 2016-11-19
11:35
石川 金沢工大 扇が丘キャンパス 触媒反応支援CVD法により成長した非極性ZnO結晶膜の光学特性
池田宗謙田島諒一安達雄大玉山泰宏加藤有行安井寛治長岡技科大CPM2016-73
触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いたCVD法により,r面サファイア基板上に非極性ZnO膜の成長を行い,得ら... [more] CPM2016-73
pp.59-63
CPM 2015-11-07
10:55
新潟 まちなかキャンパス長岡 YVO4:Bi,Ln(Ln=Sm,Er)蛍光体の発光の濃度依存性
五十嵐拓真グェン ドゥック ビン阿部泰雅長岡技科大)・山崎 誠長岡高専)・加藤有行長岡技科大CPM2015-98
YVO_4:Bi,Ln(Ln=Sm,Eu,Dy,Er)蛍光体をクエン酸錯体重合法で作製し,PLスペクトルの比較を行った.... [more] CPM2015-98
pp.67-70
CPM 2015-08-11
10:00
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 SOI基板上への高密度Geナノドットの形成 ~ フォトニック結晶による発光効率改善を目指して ~
森岡 真渡辺航大富田雅隆豊田英之加藤有行・○玉山泰宏上林利生安井寛治長岡技科大CPM2015-41
フォトニック結晶の共振効果による発光強度の増大を目指して,ガスソースMBE法を用いてSOI基板上にゲルマニウム(Ge)ナ... [more] CPM2015-41
pp.51-55
CPM 2012-10-27
10:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 YVO4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程
阿部泰雅谷口浩太八木純平加藤有行長岡技科大CPM2012-107
黄色蛍光体YVO_4:BiのPLおよびPLEの温度依存性を測定した.その結果,450 nm付近の母体発光の強度が温度上昇... [more] CPM2012-107
pp.77-80
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
CPM 2012-08-08
13:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-35
 [more] CPM2012-35
pp.11-15
CPM 2011-08-10
14:15
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史姉崎 豊浅野 翔加藤有行長岡技科大)・成田 克山形大)・中澤日出樹弘前大)・加藤孝弘・○安井寛治長岡技科大CPM2011-59
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後, Ge, SiC... [more] CPM2011-59
pp.15-20
CPM 2009-10-30
09:00
富山 富山県立大学 Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価
黒田朋義大谷孝史加藤有行高田雅介赤羽正志安井寛治長岡技科大CPM2009-96
Si基板上へモノメチルゲルマン(MMGe: GeH3CH3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い,形成したド... [more] CPM2009-96
pp.31-36
CPM 2008-10-30
13:50
新潟 新潟大学 ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性
須藤晴紀黒田朋義加藤有行西山 洋井上泰宣赤羽正志高田雅介安井寛治長岡技科大CPM2008-77
モノメチルゲルマンを用いてSi(001)基板上に形成したGe,SiCナノドットに対して,構造,表面組成を調べると共に,S... [more] CPM2008-77
pp.13-18
CPM 2005-11-11
14:45
福井 福井大学 Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 ~ Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて ~
原島正幸金丸哲史加藤有行荻原智明安井寛治赤羽正志高田雅介長岡技科大
Si(001)表面とモノメチルゲルマン(MMGe: GeH$_3$CH$_3$)との初期反応過程
について反射高速電子... [more]
CPM2005-155
pp.19-24
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