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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 09:55 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制 ○加藤正史・市川義人・市村正也（名工大）・木本恒暢（京大）  ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 |
表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に... [more] | ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 pp.51-54 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:20 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価 ○浅田貴斗・市川義人（名工大）・伊藤健治・冨田一義・成田哲生（豊田中研）・加地 徹（名大）・加藤正史（名工大） ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19 |
[more] | ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19 pp.55-58 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 |
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] | ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 pp.71-76 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 13:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大） ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] | ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 pp.101-104 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 13:40 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 ～ キャリアライフタイムの正確な評価に向けて ～ ○加藤正史・森 祐人・市村正也（名工大） ED2014-39 CPM2014-22 SDM2014-37 |
[more] | ED2014-39 CPM2014-22 SDM2014-37 pp.105-108 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 13:30 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 ○森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23 |
SiCを用いた超高耐圧のバイポーラデバイスにおいて，キャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、... [more] | ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23 pp.1-6 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 13:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島 武（原子力機構） ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] | ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 pp.7-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-17 14:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 |
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] | ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 pp.93-98 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 15:00 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか ○榊原宏武・和田耕司・加藤正史・市村正也（名工大） ED2012-131 SDM2012-160 |
[more] | ED2012-131 SDM2012-160 pp.19-24 |
| EA, SP, SIP (共催) |
2012-05-24 14:10 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上 ○兵藤 樹・朝倉 岳・塚田 究・加藤正史（名工大） EA2012-12 SIP2012-12 SP2012-12 |
ダクトにおける低周波騒音を低減する手法としてアクティブノイズコントロール(ANC)が知られており，我々はアナログ回路によ... [more] | EA2012-12 SIP2012-12 SP2012-12 pp.65-69 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大） ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 |
SiCによる超高耐圧デバイス作製において，キャリアライフタイム制御は必須であるが，SiCでは表面再結合速度に関する報告が... [more] | ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 pp.15-20 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 ○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 |
3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である．しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実... [more] | ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 pp.21-26 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 ○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19 |
太陽光を利用した水の光分解による水素生成は次世代エネルギー技術として期待されている。水の光分解材料には半導体が用いられる... [more] | ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19 pp.27-31 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 ○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 |
[more] | ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 pp.33-38 |
| EA, SIP, SP (共催) |
2009-05-28 16:00 |
兵庫 | 兵庫県立大学 | アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール ○加藤正史・小野田皓司・田中俊弘（名工大） EA2009-6 SIP2009-6 SP2009-11 |
ダクト内騒音を除去するアクティブノイズコントロール(ANC)は従来デジタル信号処理により利用されてきたが，信号処理に必要... [more] | EA2009-6 SIP2009-6 SP2009-11 pp.29-33 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 電気化学堆積を用いた4H-SiCにおける低ショットキー障壁領域の可視化手法 ○加藤正史・小野英則・小川和也・市村正也（名工大） ED2008-108 SDM2008-127 |
4H-SiC Schottky diodes are promising devices for the applica... [more] | ED2008-108 SDM2008-127 pp.357-361 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 |
4H-SiCショットキーダイオードは高速，高耐圧の整流器への応用が期待されている．しかし，SiCショットキーダイオードに... [more] | ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 pp.89-94 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
SiCは高出力，高周波デバイスの材料として注目されている．実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙... [more] | ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 pp.95-100 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 |
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] | ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 pp.101-106 |
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