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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大）  ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証 ○南條拓真・今澤貴史・清井 明・林田哲郎・綿引達郎・三浦成久（三菱電機） ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48 |
[more] | ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48 pp.95-98 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:25 |
東京 | 日立中研 | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-78 MW2018-145 |
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] | ED2018-78 MW2018-145 pp.55-58 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:50 |
東京 | 日立中研 | GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果 ○今井章文・吉嗣晃治・南條拓真・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-79 MW2018-146 |
[more] | ED2018-79 MW2018-146 pp.59-62 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 13:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極 ○今井章文・南條拓真・吹田宗義・阿部雄次・柳生栄治・藏田哲之（三菱電機） ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132 |
[more] | ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132 pp.119-123 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT ○國井徹郎・戸塚正裕・加茂宣卓・山本佳嗣・竹内日出雄・島田好治・志賀俊彦・巳浪裕之・北野俊明・宮国晋一・中塚茂典・井上 晃・奥 友希・南條拓真・大石敏之（三菱電機） |
[more] | ED2004-216 MW2004-223 pp.25-30 |
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