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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2023-01-27
13:40
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証
南條拓真品川友宏綿引達郎三浦成久古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大
 [more]
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:50
ONLINE オンライン開催 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証
南條拓真今澤貴史清井 明林田哲郎綿引達郎三浦成久三菱電機ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
 [more] ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
pp.95-98
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:25
東京 日立中研 ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果
南條拓真小山英寿今井章文綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-78 MW2018-145
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] ED2018-78 MW2018-145
pp.55-58
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:50
東京 日立中研 GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果
今井章文吉嗣晃治南條拓真綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-79 MW2018-146
 [more] ED2018-79 MW2018-146
pp.59-62
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:30
東京 機械振興会館 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] ED2014-129 MW2014-193
pp.71-76
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
13:10
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極
今井章文南條拓真吹田宗義阿部雄次柳生栄治藏田哲之三菱電機ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132
 [more] ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132
pp.119-123
MW, ED
(共催)
2005-01-18
11:10
東京 機械振興会館 Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
國井徹郎戸塚正裕加茂宣卓山本佳嗣竹内日出雄島田好治志賀俊彦巳浪裕之北野俊明宮国晋一中塚茂典井上 晃奥 友希南條拓真大石敏之三菱電機
 [more] ED2004-216 MW2004-223
pp.25-30
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