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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP, MW
(併催)
2022-09-15
12:25
愛媛 愛媛県美術館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
300GHz帯4並列バイポーラトランジスタのマクロモデルの作成と検証
那須南美東京理科大)・原 紳介笠松章史NICT)・楳田洋太郎高野恭弥東京理科大MW2022-77
本研究では300 GHz帯に対応する4並列バイポーラトランジスタモデルを簡易に作成することを目的とし、バイアス可変のマク... [more] MW2022-77
pp.48-51
MW 2022-03-04
10:30
ONLINE オンライン開催 誘電体のテラヘルツ帯測定結果による電波吸収体設計
李 尚曄東工大)・藤田真男豊田将之マクセル(株))・高野恭弥東京理科大)・原 紳介渡邊一世笠松章史NICT)・伊藤浩之東工大MW2021-132
 [more] MW2021-132
pp.117-121
ED, THz
(共催)
2021-12-21
10:20
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析
礒前雄人岸本尚之林 拓也國澤宗真東京理科大)・渡邊一世山下良美町田龍人原 紳介笠松章史NICT)・○遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2021-57
我々は3種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した.これらのHEMTエピタキシ... [more] ED2021-57
pp.44-47
MW 2021-12-16
15:15
神奈川 川崎市産業振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
結合インダクタを用いた差動分布型増幅器の解析と設計
川原啓輔楳田洋太郎高野恭弥東京理科大)・原 紳介NICTMW2021-92
本稿では結合インダクタを用いた差動分布型増幅器について述べる.近年の光ファイバ通信では信号の広帯域化と多値化が進んでおり... [more] MW2021-92
pp.43-48
MW 2021-05-20
14:55
ONLINE オンライン開催 疑似フラクタル状に曲げた伝送線路を用いた省面積分布型増幅器の試作検討
川原啓輔楳田洋太郎高野恭弥東京理科大)・原 紳介NICTMW2021-9
近年,通信トラフィックが増加の一途を辿っている.分布型増幅器は100GHzを超える周波数帯域が報告されており,光ファイバ... [more] MW2021-9
pp.22-27
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
MW 2019-12-19
15:55
岐阜 岐阜大学サテライトキャンパス [特別講演]300-GHz Wireless Data Transmission System with Low-SNR CMOS RF Front End
李 尚曄董 鋭冰広島大)・原 紳介NICT)・高野恭弥天川修平吉田 毅藤島 実広島大MW2019-126
300GHz帯を含め, テラヘルツ帯は 周波数が割り当てられてない 数十 GHz 以上の広い帯域 を用いられることから,... [more] MW2019-126
pp.41-46
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ED 2016-12-20
13:15
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Input Power Optimization of a Tripler-Base 300-GHz CMOS Up-Conversion Mixer
Ruibing DongNICT)・Kosuke KatayamaHiroshima Univ.)・Shinsuke HaraNICT)・Kyoya TakanoHiroshima Univ.)・Issei WatanabeNorihiko SekineAkifumi KasamatsuNICT)・Takeshi YoshidaShuhei AmakawaMinoru FujishimaHiroshima Univ.ED2016-93
 [more] ED2016-93
pp.71-74
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-28
14:25
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) 集積型半導体 光-テラヘルツ信号変換素子 ~ 光通信とテラヘルツ無線通信のシームレスな接続に向けて ~
山﨑理司安井章雄雨宮智宏東工大)・古澤健太郎原 紳介渡邊一世菅野敦史関根徳彦NICT)・Zhichen Gu西山伸彦東工大)・笠松章史NICT)・荒井滋久東工大OCS2016-54 OPE2016-95 LQE2016-70
(事前公開アブストラクト) 近年、THz帯を利用した無線通信システムの研究が盛んに行われている。そのため、現在有線通信に... [more] OCS2016-54 OPE2016-95 LQE2016-70
pp.109-114
SR, SRW
(併催)
2016-05-17
12:00
海外 Hotel Lasaretti, Oulu, Finland [依頼講演]QAM変調信号を送出可能な300 GHz CMOS送信機
天川修平片山光亮高野恭弥広島大)・原 紳介笠松章史NICT)・水野紘一高橋和晃パナソニック)・吉田 毅藤島 実広島大SR2016-12
300 GHz CMOS送信機について報告する.試作に利用した40 nm CMOSプロセスのNMOSトランジスタの$f_... [more] SR2016-12
pp.39-46
ED 2015-12-21
13:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]小面積D帯CMOS差動増幅器の設計
原 紳介NICT)・片山光亮高野恭弥広島大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICT)・吉田 毅天川修平藤島 実広島大ED2015-91
最新CMOSプロセス利用によるコスト向上を抑制するため、要素回路の小型化技術が求められる。本発表では、D帯(110 ~ ... [more] ED2015-91
pp.1-6
ED 2014-08-01
11:45
東京 機械振興会館B3-1室 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
初芝正太長井彰平藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大ED2014-55
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため,量子補正モンテカ
ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more]
ED2014-55
pp.13-18
ED 2013-08-09
09:50
富山 富山大学工学部 大会議室 Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
町田龍人戸田隆介吉木圭祐藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介NICT)・色川勝己三木裕文東京理科大)・河津 璋東京電機大)・藤代博記東京理科大ED2013-46
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており,エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す... [more] ED2013-46
pp.43-48
ED 2012-07-27
09:30
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析
永井佑太郎佐藤 純原 紳介藤代博記東京理科大)・遠藤 聡渡邊一世NICTED2012-48
InSbの歪みバンド構造を計算し,量子補正モンテカルロ法を用いてInSb HEMTの特性を解析した.またInAs HEM... [more] ED2012-48
pp.37-42
ED 2011-07-30
12:05
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析
佐藤 純町田史晴原 紳介藤代博記東京理科大ED2011-53
テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして,高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注... [more] ED2011-53
pp.79-84
ED 2010-06-18
10:00
石川 北陸先端大 InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析
本間嵩広渡邉久巨原 紳介藤代博記東京理科大ED2010-42
ポストSi MOSFETとして,Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料に用... [more] ED2010-42
pp.47-52
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