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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ○近藤正樹・秦 貴幸・岡田 浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島 武（原子力機構）  ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 |
[more] | ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 pp.11-16 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田 浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大） ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 |
発光機能を有するモノリシック光電子集積回路(OEIC)の実現を目的として，Si/III-V-N/Si構造を用い，LEDイ... [more] | ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 pp.81-85 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN ○Ji-Ho Park・Hiroshi Okada・Akihiro Wakahara・Yuzo Furukawa（Toyohashi Univ. of Tech.）・Yong-Tae Kim（Dankook Univ.）・Jonghan Song（KIST）・Ho-Jung Chang（Dankook Univ.）・Shin-ichiro Sato・Takeshi Ohshima（JAEA, Takasaki） ED2009-82 SDM2009-77 |
[more] | ED2009-82 SDM2009-77 pp.141-144 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 pp.65-70 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circui... [more] | ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 pp.29-34 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価 ○松野文弥・畠中 奨・中西快之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） |
GaP0.98N0.02はSiに格子整合可能であり，光電子融合集積回路(OEIC: optoelectronic int... [more] | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 09:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性 ○若原昭浩・古川雄三・佐藤 淳・島田英里・箕原大介・米津宏雄（豊橋技科大） |
[more] | ED2006-31 CPM2006-18 SDM2006-31 pp.61-65 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 ○梅野和行・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井... [more] | ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 pp.67-72 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製 ○太田成人・森崎祐二・文 秀榮・石地正義・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
Si基板上のモノリシック型光電子集積回路(Optoelectronic Integrated Circuits：OEIC... [more] | ED2006-33 CPM2006-20 SDM2006-33 pp.73-78 |
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