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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
ICD 2018-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI
小山 潤関 貴子八窪裕人大下 智古谷一馬石津貴彦熱海知昭安藤善範松林大介加藤 清奥田 高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研ICD2018-12
c軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm(85℃)という極めて小... [more] ICD2018-12
pp.47-52
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