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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2014-141 SDM2014-150
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
OME 2013-05-16
16:10
東京 機械振興会館 B3F-2 THzセンシング応用に向けたOFET材料の複素誘電関数の評価と電磁界解析
上田智也奈良先端大)・李 世光千葉大)・吉岡勇多奈良先端大)・藤井勝之南山大)・松原亮介中村雅一奈良先端大
 [more]
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:25
北海道 北海道大学(百年記念会館) 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
内田貴史竹中浩人吉岡 勇有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2012-138 SDM2012-167
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] ED2012-138 SDM2012-167
pp.53-58
OME 2012-11-19
15:00
大阪 大阪大学中之島センター 講義室302 グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討
吉岡勇多奈良先端大)・李 世光千葉大/奈良先端大)・上田智也松原亮介中村雅一奈良先端大OME2012-70
有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において障壁... [more] OME2012-70
pp.43-47
OME 2012-05-24
15:45
東京 NTT武蔵野研究開発センター ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収
李 世光千葉大/奈良先端大)・松末俊夫千葉大)・吉岡勇多松原亮介奈良先端大)・酒井正俊工藤一浩千葉大)・中村雅一奈良先端大OME2012-27
有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において振幅... [more] OME2012-27
pp.41-44
PRMU, HIP
(共催)
2010-03-15
17:30
鹿児島 鹿児島大 FPGAを用いたSURFの実時間計算法
吉岡勇太和田俊和和歌山大PRMU2009-274 HIP2009-159
画像を用いたトラッキングや物体認識,複数画像の張り合わせなどに,SIFT(Scale-Invariant Feature... [more] PRMU2009-274 HIP2009-159
pp.241-246
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