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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 12:10 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関 ○今田忠紘・吉川俊英（富士通研）・Daniel Piedra・Tomas Palacios（マサチューセッツ工科大）  ED2013-117 MW2013-182 |
窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：High Electron Mobility Transist... [more] | ED2013-117 MW2013-182 pp.41-45 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 16:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 ○西森理人・牧山剛三・多木俊裕・山田敦史・今西健治・吉川俊英・原 直紀・渡部慶二（富士通研） ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 |
[more] | ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 pp.61-65 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | ミリ波高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 |
[more] | ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 pp.51-54 |
| MW | 2009-09-25 15:15 |
東京 | 電通大 | 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 ○重松寿生・井上雄介・赤瀬川章彦・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研） MW2009-86 |
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] | MW2009-86 pp.73-78 |
| ED | 2009-06-12 11:25 |
東京 | 東京工業大学 | GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2009-48 |
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である．しかしながら... [more] | ED2009-48 pp.63-67 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器 ○重松寿生・井上雄介・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研） ED2008-218 MW2008-183 |
[more] | ED2008-218 MW2008-183 pp.113-118 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器 ○多木俊裕・吉川俊英・金村雅仁・今西健治・牧山剛三・岡本直哉・常信和清・原 直紀（富士通/富士通研） ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 |
[more] | ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 pp.131-136 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 15:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析 ○井上雄介・増田 哲・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・原 直紀・重松寿生・常信和清（富士通研） R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219 |
[more] | R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219 pp.27-31 |
| MW | 2007-09-06 11:30 |
栃木 | 宇都宮大 | ［特別講演］2007年 IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム (IMS 2007) 出席報告 ○二川佳央（国士舘大）・上田哲也（京都工繊大）・吉川俊英（富士通）・黒木太司（呉高専）・坂上岩太（富山大）・篠田博史（日立）・田島賢一（三菱電機）・中川匡夫（NTT）・古田敬幸（NTTドコモ）・守永光利（日立） MW2007-99 |
米国ホノルル市において開催された2007年IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)の出席報告... [more] | MW2007-99 pp.97-105 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス ○金村雅仁・多木俊裕・今西健治・牧山剛三・岡本直哉（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英・常信和清（富士通/富士通研） |
[more] | ED2006-236 MW2006-189 pp.199-203 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高fmax GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・今西健治・金村雅仁（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） |
[more] | ED2006-239 MW2006-192 pp.213-217 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT ○吉川俊英・今西健治・金村雅仁・常信和清（富士通研） |
[more] | ED2005-207 MW2005-161 pp.45-49 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・岩井大介・今西健治・久保徳郎・常信和清（富士通研） |
[more] | ED2005-208 MW2005-162 pp.51-55 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・常信和清（富士通研） |
[more] | ED2004-220 MW2004-227 pp.47-51 |
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