お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 8件中 1~8件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化
野口宗隆渡邊 寛三菱電機)・喜多浩之東大)・西川和康三菱電機SDM2022-75
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] SDM2022-75
pp.50-54
SDM 2014-06-19
17:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違
平井悠久東大)・喜多浩之東大/JSTSDM2014-61
 [more] SDM2014-61
pp.97-100
SDM 2013-06-18
17:05
東京 機械振興会館 [依頼講演]FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析
喜多浩之東大/JST)・平井悠久東大SDM2013-63
 [more] SDM2013-63
pp.97-100
SDM 2010-06-22
14:35
東京 東京大学(生産研An棟) GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御
喜多浩之東大/JST)・王 盛凱李 忠賢吉田まほろ東大)・西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大/JSTSDM2010-43
 [more] SDM2010-43
pp.55-60
SDM 2009-06-19
13:00
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
西村知紀長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大/JSTSDM2009-32
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] SDM2009-32
pp.33-38
OME 2008-10-31
14:15
東京 東大本郷 工学部6号館3階セミナー室A 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上
横山孝理朴 昌範長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大OME2008-53
 [more] OME2008-53
pp.15-20
SDM 2008-06-09
16:15
東京 東京大学(生産研 An棟) MOS反転層モビリティの高精度評価
鳥海 明喜多浩之東大SDM2008-45
 [more] SDM2008-45
pp.17-22
SDM 2007-06-08
13:35
広島 広島大学(学士会館) Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御
喜多浩之能村英幸鈴木 翔高橋俊岳西村知紀鳥海 明東大SDM2007-47
High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている.HfO2/Geは600℃での... [more] SDM2007-47
pp.85-90
 8件中 1~8件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会