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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP, MW
(併催)
2016-09-16
09:20
茨城 産総研 0.15um GaN HEMTを用いた効率60%,出力30W X帯電力増幅器と効率33%,出力100W Ku帯電力増幅器
鳥居拓真今井翔平前原宏昭國井徹郎森本卓男湯之上則弘宮下美代宮崎泰典津山祥紀山中宏治福本 宏三菱電機MW2016-83
 [more] MW2016-83
pp.53-57
ED 2007-06-15
13:25
富山 富山大学 ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ~ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ~
天清宗山井上 晃後藤清毅國井徹郎山本佳嗣奥 友希石川高英三菱電機ED2007-32
ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs p... [more] ED2007-32
pp.7-11
MW, ED
(共催)
2007-01-19
10:35
東京 機械振興会館 GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
後藤清毅國井徹郎井上 晃三菱電機)・大植利和Wave Technology)・河野正基奥 友希石川高英三菱電機
ブロードバンド無線通信基地局に用いる高出力増幅器を低歪化することを目的として、GaAs 基板上に高調波処理回路を一体化し... [more] ED2006-228 MW2006-181
pp.155-160
MW, ED
(共催)
2007-01-19
11:10
東京 機械振興会館 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
井上 晃天清宗山後藤清毅國井徹郎奥 友希石川高英三菱電機
非線形ドレイン抵抗を考慮したミリ波帯高出力PHEMTモデルを提案する.高出力ミリ波帯HEMTでは動作電圧を高くするために... [more] ED2006-229 MW2006-182
pp.161-166
MW 2006-12-22
11:35
愛媛 愛媛大 直並列・並列併用終端型GaN FETスイッチ
半谷政毅西野 有國井徹郎宮崎守泰三菱電機
 [more]
MW, ED
(共催)
2005-11-17
14:00
佐賀 佐賀大学 Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT
天清宗山後藤清毅志賀俊彦戸塚正裕佐々木 肇國井徹郎山本佳嗣井上 晃奥 友希石川高英三菱電機
ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯p... [more] ED2005-166 MW2005-121
pp.45-49
MW, ED
(共催)
2005-01-18
11:10
東京 機械振興会館 Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
國井徹郎戸塚正裕加茂宣卓山本佳嗣竹内日出雄島田好治志賀俊彦巳浪裕之北野俊明宮国晋一中塚茂典井上 晃奥 友希南條拓真大石敏之三菱電機
 [more] ED2004-216 MW2004-223
pp.25-30
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