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 16件中 1~16件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-10
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CrSi薄膜の電気特性のモデリング
園田賢一郎白石信仁前川和義伊藤 望長谷川英司緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2022-67
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した.結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] SDM2022-67
pp.14-18
SDM 2022-01-31
13:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
斉藤朋也伊藤 孝帯刀恭彦園田賢一郎渡辺源太松原 謙神田明彦下井貴裕武田晃一河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2021-68
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー... [more] SDM2021-68
pp.1-4
SDM 2021-11-12
10:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2021-61
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] SDM2021-61
pp.43-46
SDM 2020-11-19
15:20
ONLINE オンライン開催 [招待講演]裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出
國清辰也佐藤英則神野 健飯塚康治園田賢一郎山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2020-26
裏面照射型CMOS撮像画素の受光面にGe-on-Si層を選択的に配置して,波長850 nmの入射光の像面位相差を検出する... [more] SDM2020-26
pp.21-24
SDM 2020-02-07
09:35
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
山口 直前川径一大原隆裕天羽生 淳佃 栄次園田賢一郎柳田博史井上真雄松浦正純山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2019-89
 [more] SDM2019-89
pp.5-8
SDM 2018-11-08
09:20
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2018レビュー
園田賢一郎ルネサス エレクトロニクスSDM2018-64
2018 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2018-64
pp.1-6
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
ICD 2017-04-20
14:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立ICD2017-7
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] ICD2017-7
pp.35-38
SDM 2017-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立SDM2016-134
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] SDM2016-134
pp.17-20
SDM 2016-11-10
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2016レビュー (1)
園田賢一郎ルネサス エレクトロニクスSDM2016-79
 [more] SDM2016-79
pp.1-7
SDM 2015-11-06
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について
酒井 敦永久克己園田賢一郎ルネサス エレクトロニクス)・久田賢一新井耕一山本陽一ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング)・谷沢元昭山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-91
 [more] SDM2015-91
pp.39-43
SDM 2014-11-07
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2014 レビュー
園田賢一郎ルネサス エレクトロニクスSDM2014-103
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2014-103
pp.43-46
SDM 2013-11-14
14:15
東京 機械振興会館 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響
園田賢一郎佃 栄次谷沢元昭石川清志山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2013-103
 [more] SDM2013-103
pp.21-26
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:45
東京 機械振興会館 相変化メモリのリセット特性のモデリング
酒井 敦園田賢一郎茂庭昌弘石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-55 SDM2007-199
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモ... [more]
VLD2007-55 SDM2007-199
pp.23-26
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
11:15
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング
園田賢一郎石川清志栄森貴尚土屋 修ルネサステクノロジ
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] VLD2006-42 SDM2006-163
pp.19-24
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