| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: 最近10年)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大）  SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| SDM | 2018-06-25 15:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 ○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2018-23 |
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] | SDM2018-23 pp.33-36 |
| SDM | 2017-06-20 16:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 ○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2017-29 |
Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠で... [more] | SDM2017-29 pp.39-42 |
| SDM | 2016-06-29 13:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価 ○金田裕一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2016-39 |
[more] | SDM2016-39 pp.37-41 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 14:20 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 ○志村洋介（静岡大）・竹内和歌奈・坂下満男・黒澤昌志・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2016-5 OME2016-5 |
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御... [more] | SDM2016-5 OME2016-5 pp.23-26 |
| SDM | 2015-06-19 11:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-43 |
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] | SDM2015-43 pp.27-30 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| SDM | 2015-06-19 14:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-50 |
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] | SDM2015-50 pp.63-68 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 10:00 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | ［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ ○黒澤昌志・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-9 OME2015-9 |
光通信帯域（波長: 1.5 $mu$m）に合致する光学材料として，我々はシリコンスズ（SiSn）半導体に着目している．格... [more] | SDM2015-9 OME2015-9 pp.35-37 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]