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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）  ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 |
界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM ... [more] | ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 pp.21-24 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化 ○今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・福原 昇（住友化学）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66 |
[more] | ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66 pp.45-48 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 pp.67-70 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] | ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 pp.87-90 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価 ～ n形とp形の比較 ～ ○松田 陵（福井大）・堀切文正・成田好伸・吉田丈洋・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60 |
[more] | ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60 pp.33-36 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 11:45 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 ○堀切文正・福原 昇（サイオクス）・渡久地政周・三輪和希（北大）・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2019-98 MW2019-132 |
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] | ED2019-98 MW2019-132 pp.25-28 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2018-05-24 15:25 |
愛知 | 豊橋技科大VBL | GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価 ○堀切文正・成田好伸・吉田丈洋（サイオクス） ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13 |
フーリエ変換赤外分光(FT-IR)を用いて、自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定を行った。FT-I... [more] | ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13 pp.19-22 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大） ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] | ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 pp.27-32 |
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