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IEICE: 電子情報通信学会
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H: ヒューマンCG
(第二種) A: 基礎・境界
(第二種) N: NOLTA
(第二種) B: 通信
(第二種) C: エレクトロニクス
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IEEE
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光ファイバ応用技術研究会 (OFT)
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センサネットワークとモバイルインテリジェンス研究会 (SeMI)
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短距離無線通信研究会 (SRW)
ユビキタス・センサネットワーク研究会 (USN)
無線電力伝送研究会 (WPT)
電子部品・材料研究会 (CPM)
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機構デバイス研究会 (EMD)
電磁界理論研究会 (EMT)
エレクトロニクスシミュレーション研究会 (EST)
集積回路研究会 (ICD)
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磁気記録・情報ストレージ研究会 (MRIS)
マイクロ波研究会 (MW)
マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会 (MWP)
マイクロ波テラヘルツ光電子技術研究会 (MWPTHz)
有機エレクトロニクス研究会 (OME)
光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
ディペンダブルコンピューティング研究会 (DC)
データ工学研究会 (DE)
マルチメディア情報ハイディング・エンリッチメント研究会 (EMM)
教育工学研究会 (ET)
情報論的学習理論と機械学習研究会 (IBISML)
情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
画像工学研究会 (IE)
知能ソフトウェア工学研究会 (KBSE)
ライフインテリジェンスとオフィス情報システム研究会 (LOIS)
MEとバイオサイバネティックス研究会 (MBE)
医用画像研究会 (MI)
ニューロコンピューティング研究会 (NC)
言語理解とコミュニケーション研究会 (NLC)
パターン認識・メディア理解研究会 (PRMU)
リコンフィギャラブルシステム研究会 (RECONF)
サービスコンピューティング研究会 (SC)
音声研究会 (SP)
ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
ソフトウェアインタプライズモデリング研究会 (SWIM)
ヒューマンコミュニケーション基礎研究会 (HCS)
ヒューマン情報処理研究会 (HIP)
メディアエクスペリエンス・バーチャル環境基礎研究会 (MVE)
福祉情報工学研究会 (WIT)
センサネットワーク研究会 (SN)
次世代無線設備試験認証技術研究会 (ACT)
バイオメトリックシステムセキュリティ研究会 (BS)
通信行動工学研究会 (CBE)
ネットワーク仮想化研究会 (NV)
新世代ネットワーク研究会 (NwGN)
ネットワークソフトウェア研究会 (NWS)
光応用電磁界計測研究会 (PEM)
水中無線技術研究会 (UWT)
光集積及びシリコンフォトニクス研究会 (PICS)
量子情報技術研究会 (QIT)
シリコンフォトニクス研究会 (SIPH)
テラヘルツ応用システム研究会 (THz)
合意と共創研究会 (Consensus)
サイバーワールド時限研究会 (CW)
フェロー&マスターズ未来技術研究会 (FM)
ネットワークロボット研究会 (NR)
サステナブルコンピューティング研究会 (SUSC)
食メディア研究会 (CEA)
人間とICT倫理研究会 (EHI)
HCGシンポジウム (HCGSYMPO)
ヒューマンプローブ研究会 (HPB)
革新的無線通信技術に関する横断型研究会 (MIKA)
超知性ネットワーキングに関する分野横断型研究会 (RISING)
バイオ・マイクロシステム研究会 (IEE-BMS)
通信研究会 (IEE-CMN)
誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
半導体電力変換研究会 (IEE-SPC)
固体光源分科会 (IEIJ-SSL)
立体映像技術研究会 (ITE-3DMT)
映像表現&コンピュータグラフィックス研究会 (ITE-AIT)
放送技術研究会 (ITE-BCT)
コンシューマエレクトロニクス研究会 (ITE-CE)
ヒューマンインフォメーション研究会 (ITE-HI)
情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
情報センシング研究会 (ITE-IST)
メディア工学研究会 (ITE-ME)
マルチメディアストレージ研究会 (ITE-MMS)
スポーツ情報処理研究会 (ITE-SIP)
アクセシビリティ研究会 (IPSJ-AAC)
アルゴリズム研究会 (IPSJ-AL)
システム・アーキテクチャ研究会 (IPSJ-ARC)
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コンピュータセキュリティ研究会 (IPSJ-CSEC)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SDM
2024-01-31
13:05
東京
金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
○
伊藤健治
・
成田哲生
・
井口紘子
・
岩崎四郎
・
菊田大悟
(
豊田中研
)・
狩野絵美
・
五十嵐信行
・
冨田一義
・
堀田昌宏
・
須田 淳
(
名大
)
SDM2023-75
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた...
[more]
SDM2023-75
pp.5-8
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2016-12-12
13:50
京都
京大桂キャンパス
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性
○
前田拓也
(
京大
)・
岡田政也
・
上野昌紀
・
山本喜之
(
住友電工
)・
堀田昌宏
・
須田 淳
(
京大
)
ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75
[more]
ED2016-59
CPM2016-92
LQE2016-75
pp.9-14
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2016-12-12
14:40
京都
京大桂キャンパス
ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価
○
鐘ヶ江一孝
・
金子光顕
・
木本恒暢
・
堀田昌宏
・
須田 淳
(
京大
)
ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77
1016~1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。...
[more]
ED2016-61
CPM2016-94
LQE2016-77
pp.21-26
EID
,
SDM
(共催)
2015-12-14
13:30
京都
龍谷大学 響都ホール 校友会館
グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
○
仁枝嘉昭
・
高尾 透
(
奈良先端大
)・
堀田昌宏
(
京大
)・
佐々木伸夫
(
日本女子大
)・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
[more]
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2015-11-26
13:10
大阪
大阪市立大学・学術情報センター会議室
ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析
○
堀田昌宏
(
京大
)・
高島信也
・
田中 亮
・
松山秀昭
・
上野勝典
・
江戸雅晴
(
富士電機
)・
須田 淳
(
京大
)
ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効...
[more]
ED2015-72
CPM2015-107
LQE2015-104
pp.21-25
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2015-11-26
13:35
大阪
大阪市立大学・学術情報センター会議室
ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価
○
澤田直暉
(
京大
)・
成田哲生
・
加地 徹
・
上杉 勉
(
豊田中研
)・
堀田昌宏
・
須田 淳
(
京大
)
ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105
[more]
ED2015-73
CPM2015-108
LQE2015-105
pp.27-32
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2015-11-26
14:00
大阪
大阪市立大学・学術情報センター会議室
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性
○
前田拓也
(
京大
)・
岡田政也
・
山本喜之
・
上野昌紀
(
住友電工
)・
堀田昌宏
・
須田 淳
(
京大
)
ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106
[more]
ED2015-74
CPM2015-109
LQE2015-106
pp.33-37
SDM
,
EID
(共催)
2014-12-12
14:15
京都
京都大学
レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
○
高尾 透
・
堀田昌宏
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
EID2014-26 SDM2014-121
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術...
[more]
EID2014-26
SDM2014-121
pp.67-71
SDM
,
EID
(共催)
2014-12-12
17:00
京都
京都大学
水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成
○
梅原智明
・
堀田昌宏
・
吉嗣晃治
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
EID2014-36 SDM2014-131
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸...
[more]
EID2014-36
SDM2014-131
pp.119-123
SDM
2013-12-13
09:00
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析
○
木瀬香保利
(
奈良先端大
)・
苫井重和
(
出光興産
)・
上岡義弘
・
山崎はるか
・
浦川 哲
(
奈良先端大
)・
矢野公規
(
出光興産
)・
Dapeng Wang
・
古田 守
(
高知工科大
)・
堀田昌宏
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
SDM2013-116
近年,a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され,薄膜トランジスタのチャ...
[more]
SDM2013-116
pp.1-5
SDM
2013-12-13
09:20
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
○
吉嗣晃治
・
梅原智明
・
堀田昌宏
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆...
[more]
SDM2013-117
pp.7-11
SDM
2011-12-16
10:00
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果
○
紺谷拓哉
・
谷口真央
・
堀田昌宏
(
奈良先端大
)・
田口信義
(
イメージテック
)・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
SDM2011-132
硫化亜鉛(ZnS)等の?-?族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.スク...
[more]
SDM2011-132
pp.1-5
SDM
2011-12-16
14:00
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
ゲル-ナノインプリントプロセスによるZnO-2次元フォトニック結晶の作製
○
張 敏
・
荒木慎司
・
呂 莉
・
堀田昌宏
・
西田貴司
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
SDM2011-140
本研究では、プリント技術によるナノ構造体を持った酸化亜鉛(ZnO)形成を目指し、スピンコート法を利用したZnOゲル膜形成...
[more]
SDM2011-140
pp.43-46
SDM
2011-07-04
16:40
愛知
名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)
グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用
○
堀田昌宏
(
奈良先端大/JST
)・
山崎浩司
・
町田絵美
(
奈良先端大
)・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大/JST
)
SDM2011-68
ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った....
[more]
SDM2011-68
pp.103-108
EID
,
ITE-IDY
,
IEE-EDD
,
IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
14:15
高知
高知工科大学 研究教育棟B
赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
○
堀口昌吾
・
紺谷拓哉
・
堀田昌宏
(
奈良先端大
)・
田口信義
(
イメージテック
)・
浦岡行治
(
奈良先端大/JST
)
EID2010-29
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている....
[more]
EID2010-29
pp.33-36
SDM
2010-12-17
11:00
京都
京都大学(桂)
蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善
○
堀口昌吾
・
紺谷拓哉
・
堀田昌宏
(
奈良先端大
)・
田口信義
(
イメージテック
)・
浦岡行治
(
奈良先端大/JST
)
SDM2010-188
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている....
[more]
SDM2010-188
pp.19-23
SDM
2010-12-17
16:25
京都
京都大学(桂)
裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価
○
松江将博
・
市川和典
・
赤松 浩
(
神戸高専
)・
山崎浩司
・
堀田昌宏
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
SDM2010-200
これまで、a-Si/SiO2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さ...
[more]
SDM2010-200
pp.83-86
SDM
2010-12-17
17:25
京都
京都大学(桂)
高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果
○
丸山智己
・
藤井茉美
(
奈良先端大
)・
笠見雅司
・
矢野公規
(
出光興産
)・
堀田昌宏
・
石河泰明
(
奈良先端大
)・
浦岡行治
(
奈良先端大/JST
)
SDM2010-203
非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は,透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で,有用な材料である.a-I...
[more]
SDM2010-203
pp.99-102
SDM
2009-12-04
09:20
奈良
奈良先端大 物質創成科学研究科
マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善
○
小林祐輔
(
奈良先端大
)・
田口信義
(
イメージテック
)・
須崎昌己
(
阪府高専
)・
堀田昌宏
(
奈良先端大
)・
浦岡行治
(
奈良先端大/JST
)
SDM2009-151
我々はマイクロ波焼成により作製したZnS系蛍光体の光学特性を調査した.今回,2種類の紛体サイズのZnS粉末とZnS+Cu...
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SDM2009-151
pp.1-4
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