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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 17:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング ○渡邉時暢（富山大）・堀 匡寛・小野行徳（静岡大）  ED2017-115 SDM2017-115 |
0.3－300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し，10... [more] | ED2017-115 SDM2017-115 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング 渡辺時暢（静岡大/富山大）・堀 匡寛・○小野行徳（静岡大） ED2016-131 SDM2016-148 |
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] | ED2016-131 SDM2016-148 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 16:20 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳（富山大） ED2015-125 SDM2015-132 |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温... [more] | ED2015-125 SDM2015-132 pp.23-26 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 14:40 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 実時間チャージポンピングの精度評価 ○渡辺時暢・堀 匡寛（富山大）・土屋敏章（島根大）・小野行徳（富山大） ED2014-140 SDM2014-149 |
チャージポンピング(CP)はMOSFETの界面欠陥密度を評価するために用いられる手法である．CP法は周期的なパルスをゲー... [more] | ED2014-140 SDM2014-149 pp.13-16 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 13:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ［招待講演］Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 ○品田賢宏・堀 匡寛（早大）・Filipo Guagliardo（ミラノ工科大）・小野行徳（NTT）・熊谷国憲・谷井孝至（早大）・Enrico Prati（CNR） ED2011-142 SDM2011-159 |
[more] | ED2011-142 SDM2011-159 pp.1-5 |
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