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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2016-07-23 15:30 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）  ED2016-30 |
我々は最近，不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] | ED2016-30 pp.17-20 |
| ED | 2016-07-24 09:55 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード ○新川綾佳・脇谷 実・前田裕貴・塚本貴広・須田良幸（東京農工大） ED2016-33 |
ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製した，正孔トンネル型Si1-xGex/Si系非対称2重量子井戸共鳴トンネルダイ... [more] | ED2016-33 pp.31-34 |
| SDM | 2014-06-19 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成 ○山下敦史・塚本貴広・須田良幸（東京農工大） SDM2014-51 |
我々が近年提案した最密クロスポイント配列のための不揮発性メモリ機能と整流特性を併せ持った2 端子抵抗変化型のp-Cu2... [more] |
SDM2014-51 pp.43-47 |
| SDM | 2013-06-18 14:35 |
東京 | 機械振興会館 | SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ ～ MIS型およびpnダイオード型メモリ ～ ○須田良幸・小松辰己・山口伸雄・佐藤芳彦・山田有希乃・山下淳史・塚本貴広（東京農工大） SDM2013-57 |
金属/トンネル酸化層/SiOx電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属‐絶縁体‐半導体（MIS）型（構造）と金属/p型酸化物... [more] | SDM2013-57 pp.67-70 |
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