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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:00
ONLINE オンライン開催 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価
塩島謙次福井大)・田中 亮高島信也上野勝典江戸雅晴富士電機ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
pp.63-66
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:25
ONLINE オンライン開催 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価
川角優斗福井大)・堀切文正福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・四戸 孝FLOSFIA)・塩島謙次福井大ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,Ni/SiC,Ni/GaN,Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41
pp.67-70
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
14:10
ONLINE オンライン開催 界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価 ~ n形とp形の比較 ~
松田 陵福井大)・堀切文正成田好伸吉田丈洋福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60
 [more] ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60
pp.33-36
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
14:40
ONLINE オンライン開催 Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性
川角優斗安井悠人福井大)・柏木行康玉井聡行阪産技研)・塩島謙次福井大ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行っ... [more] ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61
pp.37-40
CPM 2019-11-08
10:50
福井 福井大学 文京キャンパス [招待講演]界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
塩島謙次福井大CPM2019-51
埋もれた金属/半導体界面を非破壊で2次評価できる界面顕微光応答法を開発し、ワイドバンドギャップ半導体のショットキー接触、... [more] CPM2019-51
pp.35-38
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
14:40
愛知 名古屋工業大学 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定
塩島謙次前田昌嵩福井大)・三島友義法政大ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
16:15
愛知 名古屋工業大学 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価
塩島謙次橋爪孝典福井大)・堀切文正田中丈士サイオクス)・三島友義法政大ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68
pp.27-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
16:40
愛知 名古屋工業大学 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 金属仕事関数依存性 ~
塩島謙次今立宏美福井大)・三島友義法政大ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69
pp.33-38
MW, ED
(共催)
2017-01-26
16:15
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]金属/GaNショットキー接触の評価 ~ 黎明期からの振り返り ~
塩島謙次福井大ED2016-101 MW2016-177
本講演では我々の研究機関で得られた金属/GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の... [more] ED2016-101 MW2016-177
pp.23-28
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
13:25
京都 京大桂キャンパス 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価
塩島謙次村瀬真悟前田昌嵩福井大)・三島友義法政大ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
14:15
京都 京大桂キャンパス 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 表面処理の影響 ~
塩島謙次永縄 萌福井大)・三島友義法政大ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に(i)劈開のみ、(ii)H2O2による故意酸化、(... [more] ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76
pp.15-20
ED 2015-07-24
13:15
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価
青木俊周福井大)・谷川智之片山竜二松岡隆志東北大)・塩島謙次福井大ED2015-36
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧(I-V)、容量‐電圧(C-V)、光応答(PR)測定を用いて評... [more] ED2015-36
pp.1-4
ED 2015-07-24
13:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価
永縄 萌青木俊周福井大)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2015-37
 [more] ED2015-37
pp.5-8
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価
塩島謙次山本晋吾木原雄平福井大ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119
金属/半導体界面の電気的特性を二次元評価できる界面顕微光応答法を開発し、Au /Ni / n-GaNショットキー接触の熱... [more] ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119
pp.85-90
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:45
大阪 大阪大学 吹田キャンパス GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
塩島謙次木原雄平青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
pp.35-38
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作
塩島謙次青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープp-GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
pp.39-42
ED 2012-07-26
15:25
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響
高橋利文福井大)・金田直樹三島友義日立電線)・野本一貴ノートルダム大)・塩島謙次福井大ED2012-45
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] ED2012-45
pp.21-24
ED 2012-07-26
15:50
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性
高橋利文福井大)・金田直樹三島友義日立電線)・梶原隆司田中 悟九大)・塩島謙次福井大ED2012-46
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] ED2012-46
pp.25-30
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
11:15
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計
酒井亮輔岡井智隆塩島謙次葛原正明福井大ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118
傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーシ... [more] ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118
pp.109-114
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:35
北海道 かでる2・7(札幌) Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures
Hironari ChikaokaYouichi TakakuwaKenji ShiojimaMasaaki KuzuharaUniv. of FukuiED2008-104 SDM2008-123
 [more] ED2008-104 SDM2008-123
pp.337-340
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