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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
14:35
石川 山代温泉葉渡莉 25Gb/s直接変調レーザを搭載したTO-CANの広温度範囲動作
白尾瑞基中村誠希島田征明鈴木洋介境野 剛野上正道三菱電機LQE2017-18
 [more] LQE2017-18
pp.73-77
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
10:55
青森 青森県観光物産館アスパム 100Gbpsデータセンター通信用途低消費電力25.8Gbps動作直接変調AlGaInAs MQW DFB-LD
中村直幹島田征明境野 剛柳楽 崇山口晴央奥貫雄一郎杉立厚志竹見政義三菱電機R2015-40 EMD2015-48 CPM2015-64 OPE2015-79 LQE2015-48
データセンター内の通信容量の増大にともない,100Gbpsの高速データ通信システムの導入が進んでおり,同時に低消費電力化... [more] R2015-40 EMD2015-48 CPM2015-64 OPE2015-79 LQE2015-48
pp.87-90
EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2012-01-26
15:15
大阪 大阪大学コンベンションセンター RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
外間洋平境野 剛瀧口 透柳楽 崇山口晴央鈴木正人石村栄太郎杉立厚志紫村輝之三菱電機PN2011-47 OPE2011-163 LQE2011-149 EST2011-97 MWP2011-65
1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFB-LDにRuドープInP電流ブロック層を採用した。その結果十分な光出力と25.... [more] PN2011-47 OPE2011-163 LQE2011-149 EST2011-97 MWP2011-65
pp.95-98
LQE 2010-12-17
11:35
東京 機械振興会館 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ
境野 剛瀧口 透外間洋平佐久間 仁綿谷 力柳楽 崇鈴木大輔青柳利隆石川高英石村栄太郎島 顕洋三菱電機LQE2010-119
1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFBレーザにて,p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで... [more] LQE2010-119
pp.23-26
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