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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2019-11-22
09:00
東京 機械振興会館 (東京都) ホウ素添加ダイヤモンド薄膜の合成とキャリア密度評価
三宅 拓中川央也増澤智昭青木 徹三村秀典静岡大ED2019-68
 [more] ED2019-68
pp.35-38
ED 2019-11-22
10:25
東京 機械振興会館 (東京都) n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出のエネルギー分析
増澤智昭根尾陽一郎三村秀典静岡大)・岡野 健国際基督教大)・山田貴壽産総研ED2019-71
リン添加n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出メカニズムを調べるため、紫外線光電子分光法と電界放出電子分光による電子... [more] ED2019-71
pp.47-49
ED 2019-11-22
10:50
東京 機械振興会館 (東京都) 二次電子放出効率を制御した高速電子方式撮像管
仲田真人三村秀典畑中義式増澤智昭根尾陽一郎静岡大ED2019-72
福島の原発事故以降,特殊な環境下で高い耐環境性を持つイメージングセンサの開発が重要となってきた.例として原子炉内のモニタ... [more] ED2019-72
pp.51-54
ED 2019-11-22
11:15
東京 機械振興会館 (東京都) アモルファスセレン超格子中のサブバンド形成とその物性制御
ジョシュア D ジョン榎本国孝宮地紀年国際基督教大)・増澤智昭静岡大)・山田貴壽産総研)・岡野 俊TUC)・岡野 健国際基督教大ED2019-73
 [more] ED2019-73
pp.55-58
ED 2017-10-26
16:45
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 (宮城県) リン添加ダイヤモンド表面からの電子放出のエネルギー分析
増澤智昭静岡大)・岡野 健国際基督教大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・山田貴壽産総研ED2017-43
 [more] ED2017-43
pp.31-33
ED 2016-10-25
16:10
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) (三重県) NEA-GaAsホトカソードからのパルスビーム診断
吉武 亮光野圭悟増澤智昭畑中義式細田 誠根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2016-49
100GHzより高い周波数帯の電磁波はサブミリ波帯と呼ばれる.高出力のサブミリ波はデータ通信技術やセキュリティなどさまざ... [more] ED2016-49
pp.27-30
ED 2016-10-26
11:50
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) (三重県) CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価
増澤智昭根尾陽一郎静岡大)・後藤康仁京大)・岡本 保木更津高専)・長尾昌善産総研)・佐藤信浩京大)・秋吉優史阪府大)・高木郁二京大)・三村秀典静岡大ED2016-56
福島第一原発の廃炉に向けて,高い放射線耐性を持つ撮像素子の開発が求められている.本研究では耐放射線FEA撮像素子に組み込... [more] ED2016-56
pp.63-66
ED 2015-10-23
10:35
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) (愛知県) 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 ~ 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 ~
胡谷大志国際基督教大)・増澤智昭静岡大)・山田貴壽産総研)・落合 潤斎藤市太郎岡野 健国際基督教大ED2015-64
ダイヤモンドは,その化学的安定性や高い熱伝導率,また負の電子親和力を持つ事から,電子源材料としての活用が期待されている.... [more] ED2015-64
pp.53-56
ED 2015-10-23
11:00
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) (愛知県) GaAsフォトカソードの表面活性過程と分光感度特性
増澤智昭光野圭悟畑中義式根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2015-65
テラヘルツ光源等の応用のために、大電流・高速動作が可能な電子源の開発が期待されている.本研究では,大電流・高速電子源の候... [more] ED2015-65
pp.57-59
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
16:10
北海道 北海道大学(百年記念会館) (北海道) P(VDF-TrFE)ナノファイバー強誘電体デバイスの開発
根尾陽一郎野寄雅司増澤智昭三村秀典静岡大ED2014-143 SDM2014-152
 [more] ED2014-143 SDM2014-152
pp.29-32
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