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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2025-01-24
14:20
東京 深谷公民館・深谷生涯学習センター (東京都, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発
尾崎史朗熊崎祐介中舍安宏山田敦史原 直紀多木俊裕富士通ED2024-81 MW2024-167
次世代移動体通信のBeyond 5G/6Gでは、超大容量通信を可能とするサブテラヘルツ波(≧90 GHz)の利用が検討さ... [more] ED2024-81 MW2024-167
pp.73-76
AP
(第二種研究会)
2025-01-09
15:20
京都 龍谷大学 (京都府) 300GHz帯増幅器一体型アレイアンテナの実現に向けたヘテロジニアス集積技術
尾崎史朗富士通)・平野拓一東京都市大)・中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通
 [more]
ED, MWPTHz
(共催)
2024-12-20
11:20
宮城 東北大・通研 (宮城県, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
6G向け100GHz帯固定無線データ伝送実験
筒井正文周 凉中舍安宏伊達木 隆熊崎祐介尾崎史朗多木俊裕富士通ED2024-62 MWPTHz2024-74
 [more] ED2024-62 MWPTHz2024-74
pp.30-33
ED, CPM, LQE
(共催)
2024-11-29
16:20
愛知 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) 水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上
尾崎史朗熊崎祐介岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69
次世代無線通信に向けた高周波用途の絶縁ゲート型高電子移動度トランジスタ(HEMT: High Electron Mobi... [more] ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69
pp.73-78
AP, SANE, SAT
(併催)
2024-07-24
10:00
北海道 北海道大学フロンティア応用科学研究棟 (北海道, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
サブテラヘルツ帯無線通信に向けた導波管アレイアンテナモジュール
尾崎史朗富士通)・平野拓一東京都市大)・岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通AP2024-21
サブテラヘルツ帯無線通信に向けたアレイアンテナモジュールの実現に向けて、1波長未満のアンテナピッチ制御による不要放射(グ... [more] AP2024-21
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
14:20
静岡 アクトシティ浜松 (静岡県) ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術
尾崎史朗熊崎祐介岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造... [more] ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
pp.15-20
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:25
ONLINE オンライン開催 (オンライン) 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
熊崎祐介多木俊裕小谷淳二尾崎史朗富士通/富士通研)・新井田佳孝富士通研)・美濃浦優一富士通/富士通研)・西森理人富士通)・岡本直哉富士通/富士通研)・佐藤 優中村哲一富士通研)・渡部慶二富士通/富士通研ED2020-34 MW2020-87
 [more] ED2020-34 MW2020-87
pp.34-37
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 (東京都) ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2017-01-26
14:50
東京 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) [依頼講演]ミリ波GaN HEMTの現状
牧山剛三新井田佳孝尾崎史朗多木俊裕岡本直哉美濃浦優一佐藤 優鎌田陽一常信和清渡部慶二富士通)・宮本泰幸東工大ED2016-98 MW2016-174
 [more] ED2016-98 MW2016-174
pp.13-16
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 (東京都) 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27
 [more] ED2016-27
pp.1-4
ED 2015-07-24
14:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) (石川県) リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
美濃浦優一岡本直哉多木俊裕尾崎史朗牧山剛三鎌田陽一渡部慶二富士通研ED2015-38
 [more] ED2015-38
pp.9-13
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