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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-06-25 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）  SDM2018-19 |
本研究では、Al$_2$O$_3$/n-GaN MOSキャパシタの固定電荷及びダイポールの生成に対する自然酸化膜界面層(... [more] | SDM2018-19 pp.15-18 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2014-06-19 11:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2014-49 |
Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/... [more] | SDM2014-49 pp.31-35 |
| SDM | 2012-06-21 12:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 ○木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） |
フラットバンド電圧(Vfb）を制御するために、HfO2 MOSキャパシタのゲート電極として低仕事関数なAl原子を導入した... [more] | |
| SDM | 2011-07-04 15:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 ○生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2011-64 |
ITO/HfO2/SiO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がフラットバンド電圧(Vfb)へ及ぼす影響を調べた。Cu... [more] | SDM2011-64 pp.81-85 |
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