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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2010-12-17
13:10
東京 機械振興会館 [奨励講演]低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
植竹理人大坪孝二松田 学光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光電子融合基盤技研/富士通/富士通研LQE2010-120
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い,通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている.我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] LQE2010-120
pp.27-32
LQE 2009-12-11
14:40
東京 機械振興会館 地下3階2号室 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
植竹理人大坪孝二松田 学光協会/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光協会/富士通/富士通研LQE2009-148
近年の急激な通信量の増加に伴い,直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている.我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] LQE2009-148
pp.51-56
LQE 2008-12-12
16:00
東京 機械振興会館 地下3階2号室 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調
大坪孝二松田 学富士通研/富士通/光協会)・高田 幹奥村滋一富士通研)・江川 満富士通研/富士通/光協会)・田中宏昌富士通)・井出 聡富士通研)・森 和行富士通)・山本剛之富士通研/富士通/光協会LQE2008-140
 [more] LQE2008-140
pp.63-68
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
11:00
東京 機械振興会館 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ~ 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ~
石田 充羽鳥伸明東大)・大坪孝二山本剛之光協会/富士通/富士通研)・中田義昭江部広治東大)・菅原 充光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)・荒川泰彦東大
量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある.我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに,... [more] OPE2006-18 LQE2006-22
pp.15-20
LQE, PN, OPE, OFT, EMT
(共催)
2006-02-02
14:40
兵庫 神戸大学 マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式
大坪孝二田中伸介苫米地秀一森戸 健鍬塚治彦富士通研
将来のフォトニックネットワークにおいて波長変換素子は重要なコンポーネントである.半導体光増幅器(SOA)の2波長励起縮退... [more] PN2005-94 OFT2005-81 OPE2005-142 LQE2005-157
pp.51-54
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