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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-06-26 12:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）  SDM2023-31 |
Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成... [more] | SDM2023-31 pp.15-18 |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| SDM | 2022-06-21 17:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 ○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-31 |
金属ナノシート(MNS)を用いたデバイスが検討されているが、SiO2上のMNSの表面形態や結晶相制御についての理解は十分... [more] | SDM2022-31 pp.27-30 |
| SDM | 2022-06-21 17:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御 ○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-32 |
[more] | SDM2022-32 pp.31-34 |
| SDM | 2021-06-22 17:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2021-29 |
化学溶液洗浄したGe(111)上にAlを真空蒸着したAl/Ge(111)において、真空熱処理の温度や時間がAl表面に形成... [more] | SDM2021-29 pp.27-31 |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM | 2019-06-21 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 ○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大） SDM2019-35 |
化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、8... [more] | SDM2019-35 pp.47-51 |
| SDM | 2018-06-25 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大） SDM2018-17 |
[more] | SDM2018-17 pp.5-9 |
| SDM | 2018-06-25 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） SDM2018-22 |
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] | SDM2018-22 pp.29-32 |
| SDM | 2018-06-25 16:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2018-26 |
[more] | SDM2018-26 pp.47-51 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| SDM | 2017-06-20 14:35 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 ○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-25 |
[more] | SDM2017-25 pp.19-23 |
| SDM | 2017-06-20 14:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 ○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-26 |
[more] | SDM2017-26 pp.25-29 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
| SDM | 2016-06-29 14:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 ○藤村信幸・大田晃生・渡辺浩成・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2016-40 |
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] | SDM2016-40 pp.43-47 |
| SDM | 2016-06-29 14:45 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大） SDM2016-41 |
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] | SDM2016-41 pp.49-52 |
| SDM | 2015-06-19 12:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 ○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-44 |
[more] | SDM2015-44 pp.31-35 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
| SDM | 2014-06-19 12:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性 ○荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2014-50 |
[more] | SDM2014-50 pp.37-42 |
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