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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
15:20
静岡 アクトシティ浜松 Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題
伊藤佑太渡邉浩崇出来真斗新田州吾田中敦之本田善夫天野 浩名大ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59
縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドー... [more] ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59
pp.25-30
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
15:45
静岡 アクトシティ浜松 MOVPEを用いた(0001)面上への低炭素GaNの成長
渡邉浩崇新田州吾藤元直樹川崎晟也隈部岳瑠大西一生本田善央天野 浩名大ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60
 [more] ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60
pp.31-35
SDM 2019-06-21
16:25
愛知 名古屋大学 VBL3F ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価
出来真斗奥出 真安藤悠人渡邉浩崇田中敦之久志本真希新田州吾本田善央天野 浩名大SDM2019-34
 [more] SDM2019-34
pp.43-46
SDM 2018-06-25
11:00
愛知 名古屋大学 VBL3F オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
出来真斗安藤悠人渡邉浩崇田中敦之久志本真希新田州吾本田善央天野 浩名大SDM2018-16
 [more] SDM2018-16
pp.1-4
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
15:25
愛知 名古屋工業大学 -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究
河野 司久志本真希永松謙太郎新田州吾本田善央天野 浩名大ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66
MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは、+c面GaN基板上のGaNに比べ、電子を補償する炭素の取り込み量が少な... [more] ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66
pp.19-22
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:20
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
pp.11-14
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:50
愛知 豊橋技科大VBL棟 Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer
Hojun LeeTadashi MitsunariYoshio HondaHiroshi AmanoNagoya Univ.
 [more]
CPM 2014-09-05
09:55
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究
佐藤大樹西谷智博前川拓也本田善央天野 浩名大CPM2014-84
負の電子親和力(Negative Electron Affinity: NEA)状態の表面を持つ半導体(NEA半導体フォ... [more] CPM2014-84
pp.49-54
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:40
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響
勝野翔太林 健人安田俊輝岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告... [more] ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
pp.75-80
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
14:00
愛知 名古屋大学VBL3階 P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications
Zheng SunMarc OlssonNagoya Univ.)・Tsutomu NagayamaNissin Ion Equipment)・Yoshio HondaHiroshi AmanoNagoya Univ.ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38
 [more] ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38
pp.109-112
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
11:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究
中嶋 翼竹田健一郎岩谷素顕上山 智竹内哲也赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101
pp.11-16
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
15:50
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率
前川拓也本田善央天野 浩西谷智博名大ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108
我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p... [more] ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108
pp.43-46
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
16:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究
若杉侑矢本田善央天野 浩名大ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109
MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時... [more] ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109
pp.47-50
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
17:05
大阪 大阪大学 吹田キャンパス トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討
黒川泰視合田智美加賀 充岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111
 [more] ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111
pp.57-61
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
10:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究
山下康平本田善央山口雅史天野 浩名大
 [more]
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス AlGaN系深紫外LEDの開発
一本松正道平野 光創光科学)・天野 浩名大)・赤崎 勇名城大ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119
 [more] ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119
pp.91-94
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
14:30
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
久志本真希谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm~590nm、井戸... [more] ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22
pp.15-18
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
17:35
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 窒化物半導体太陽電池の集光特性
森 美貴子山本翔太桑原洋介藤井崇裕岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110
本研究では、窒化物半導体太陽電池の集光特性を評価した。ソーラーシミュレータを用いてレンズで集光し1~200sunsまで変... [more] ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110
pp.71-75
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
09:55
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
井手公康山本準一岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112
AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化する... [more] ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112
pp.81-85
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
13:25
愛知 名古屋大学 VBL RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長
田畑拓也白 知鉉本田善央山口雅史天野 浩名大ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22
従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想され... [more] ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22
pp.45-48
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