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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, CPM (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2024-10-31 13:40 |
長野 | 信州大学長野(工学)キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
共添加HfO2系強誘電体の開発 ○浅沼周太郎・右田真司・太田裕之・森田行則・畑山祥吾（産総研）  MRIS2024-10 CPM2024-39 |
HfO2系強誘電体（FE-HfO2）は膜厚10 nm以下でも強誘電性を示すためFeFET（強誘電体ゲート電界効果トランジ... [more] | MRIS2024-10 CPM2024-39 pp.9-14 |
| OFT | 2020-01-16 17:30 |
愛知 | 自然科学研究機構 岡崎コンファレンスセンター | 航空機向け操縦装置用光線路の開発 ○永井傑朗・田邉賢吾・村瀬知丘・清武耕三・高橋 徹（昭和電線ケーブルシステム）・山本浩一・加藤 悟・太田裕之（川崎重工） OFT2019-51 |
航空機の飛行制御技術の高度化に伴い、電磁障害に強く、多数の機器と多重接続が可能となる光データバスシステムの採用が検討され... [more] | OFT2019-51 pp.25-28 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM | 2019-01-29 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 ○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-81 |
本研究では，マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] | SDM2018-81 pp.1-4 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| SDM | 2018-06-25 16:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-25 |
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] | SDM2018-25 pp.43-46 |
| SDM | 2018-01-30 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 ○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2017-91 |
[more] | SDM2017-91 pp.1-4 |
| SDM | 2017-02-06 13:35 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 ○服部淳一・福田浩一・入沢寿史・太田裕之・前田辰郎（産総研） SDM2016-143 |
モノリシック三次元インバータについて，積み重なったトランジスタの電気的結合が性能に与える影響をTCAD（technolo... [more] | SDM2016-143 pp.23-28 |
| SDM | 2017-01-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） SDM2016-130 |
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．I... [more] | SDM2016-130 pp.1-4 |
| SDM | 2017-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション ○太田裕之・池上 勉・服部淳一・福田浩一・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-133 |
サブ10nm 世代の負性容量FinFET（NC-FinFET）のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] | SDM2016-133 pp.13-16 |
| SDM | 2016-06-29 10:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 ○太田裕之・右田真司・服部淳一・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-34 |
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数（SS）を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] | SDM2016-34 pp.9-13 |
| SDM | 2016-01-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） SDM2015-122 |
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] | SDM2015-122 pp.9-12 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 15:00 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題 ○入沢寿史（産総研）・池田圭司・上牟田雄一・小田 穣・手塚 勉（産総研/東芝）・前田辰郎・太田裕之・遠藤和彦（産総研） SDM2015-63 ICD2015-32 |
[more] | SDM2015-63 ICD2015-32 pp.31-36 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| SDM | 2015-01-27 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 ○松川 貴・福田浩一・柳 永勛・塚田順一・山内洋美・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-145 |
[more] | SDM2014-145 pp.41-44 |
| SDM | 2015-01-27 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 ○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-146 |
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] | SDM2014-146 pp.45-48 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| ICD | 2014-04-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 ○昌原明植・遠藤和彦・大内真一・松川 貴・柳 永勛・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之（産総研） ICD2014-15 |
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は，トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と，顕在化する特性ばらつ... [more] | ICD2014-15 pp.77-82 |
| SDM | 2014-01-29 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 ○水林 亘（産総研）・おの田 博・中島良樹（日新イオン機器）・石川由紀・松川 貴・遠藤和彦・Yongxun Liu・大内真一・塚田順一・山内洋美・右田真司・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2013-138 |
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] | SDM2013-138 pp.13-16 |
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