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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2023-08-01
09:45
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成
齋藤遼佑奈良友奎葛西大希郡山春人遠田義晴中澤日出樹弘前大CPM2023-19
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] CPM2023-19
pp.29-32
CPM 2020-10-29
13:40
ONLINE オンライン開催 AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果
葛西大希奈良友奎中澤日出樹弘前大CPM2020-13
 [more] CPM2020-13
pp.7-10
CPM 2019-08-26
15:50
北海道 北見工業大学 1号館2F A-207講義室 オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
中澤日出樹奈良友奎葛西大希弘前大CPM2019-42
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] CPM2019-42
pp.23-28
CPM 2018-08-09
14:50
青森 弘前大学文京町地区キャンパス SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹成田舜基奈良友奎遠田義晴弘前大CPM2018-9
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] CPM2018-9
pp.7-12
CPM 2018-08-09
15:10
青森 弘前大学文京町地区キャンパス SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討
奈良友奎工藤あさひ中澤日出樹弘前大CPM2018-10
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] CPM2018-10
pp.13-16
R, EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2017-08-31
13:55
青森 弘前文化センター レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長
奈良友奎成田舜基中澤日出樹弘前大R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22
pp.7-10
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